Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN(질화갈륨) FET는 톨트 TO247 TOLL 패키지로 제공됩니다. 이 질화갈륨 FET는 최첨단 고전압 GaN HEMT와 저전압 실리콘 MOSFET을 결합하여 우수한 성능, 표준 드라이브, 채택 용이성 및 안정성을 제공하는 Gen IV Plus SuperGaN® 플랫폼을 사용합니다.
Renesas Electronics GaN 전력 반도체는 25W~10kW의 광범위한 응용 분야에 걸쳐 고성능의 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공합니다. Renesas GaN 전력 반도체의 고유한 아키텍처는 GaN의 고유 성능을 활용하며 소형 PQFN, 견고한 TO 리드, 하단 및 상단 냉각이 모두 가능한 다양한 표면 실장 패키지를 포함한 다양한 패키지 옵션을 제공합니다. 정상 오프 아키텍처, 다양한 패키지, 표준 실리콘 드라이버와의 호환성을 용이하게 하는 통합 저전압 실리콘 MOSFET 프론트엔드는 시스템 개발자에게 보다 간단하고 비용 효율적인 GaN 적용을 가능하게 합니다.
특징
- 30mΩ 일반 온 상태 저항(RDSON)
- 127nC 출력 전하(Qoss)
- 22nC 게이트 전하(Qg)
- 출력 커패시턴스 C oss=127pF, Co(er)=183pF, Co(tr)=339pF
- 업계 표준 TOLL, 톨트(상면 냉각식) 및 TO-247 패키지로 제공
- 기존 4세대 부품에 비해 동적 온 상태 저항이 우수하여 일반 온 상태 저항(RDSON)이 14% 낮음
- 이전 세대 대비 FOM(RDSON*Qoss)이 27% 개선되어 전반적인 효율성 향상
- 낮은 게이트 드라이브 전력 수요 및 표준 게이트 드라이버와 호환 가능
- 우수한 상호 컨덕턴스와 낮은 정전 용량으로 하드 및 소프트 스위칭 애플리케이션의 성능 향상
- 다양한 패키지 제공으로 다양한 애플리케이션에 원활하게 통합 가능
애플리케이션
- 인프라(데이터 센터/서버), 전원장치, UPS, 베스, e-모빌리티 충전 인프라 및 태양광 인버터
- 단방향 및 양방향 DC/DC 컨버터
- 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 설계의 통신 및 서버 애플리케이션용 전원장치
- 산업용 애플리케이션의 PFC 및 인버터 단계
애플리케이션 다이어그램
개발 도구
Renesas Electronics RTDTTP4200W066A 질화갈륨 평가 보드
고효율 단상 AC/DC 변환을 가능하게 하는 토템폴 PFC 평가 보드입니다.
게시일: 2025-06-25
| 갱신일: 2025-10-02