게이트 드라이버 신제품

RECOM Power RVP Primary-Side Power ICs support input voltages up to 30V and are available in various topologies to meet system needs. The push-pull power ICs, such as RVP010 and RVP6501, handle a wide range of isolated applications. The RVP6501, meanwhile, provides pin and functional compatibility with the industry-established 6501-type, enabling existing designs to be migrated with minimal layout modification effort. The RVP001, RVP003, and RVP005 employ a full-bridge topology for applications focused on simplified magnetics design. This topology eliminates the need for a primary-side center-tapped winding, simplifying the winding structure and reducing magnetic asymmetries. The symmetrical drive of the transformer core allows the use of magnetic material. RECOM RVP ICs address applications in the energy, industrial, and medical sectors that require compact, scalable, and isolated DC/DC converters.
-
RECOM Power RVP Primary-Side Power ICsSupports input voltages up to 30V and is available in various topologies to meet system needs.2026-04-01 -
onsemi FAD1100-F085 점화 게이트 드라이브 IC점화 IGBT를 직접 구동하고 코일 전류와 그에 따른 스파크 이벤트를 모두 조정합니다.2026-03-03 -
Microchip Technology MCP14T0517 푸시-풀 변압기 드라이버3 ~ 5.5VDC 입력 범위에서 작동하는 소형 절연 전원 공급 장치용으로 설계되었습니다.2026-02-02 -
Texas Instruments UCC2773x/-Q1 하프 브리지 게이트 드라이버전력 MOSFET 및 IGBT를 구동하도록 설계된 3.5A 소스 및 4A 싱크 전류 성능을 제공합니다.2026-01-29 -
Texas Instruments UCC5713x/UCC5713x-Q1 로우 사이드 게이트 드라이버이 장치는 MOSFET, IGBT 및 SiC 전원 스위치를 효과적으로 구동할 수 있습니다.2025-12-24 -
Infineon Technologies CoolGaN™ 드라이브 HB 600V G5 스위치2개의 600V 강화 모드 CoolGaN 스위치를 갖춘 하프 브리지 전력단을 통합하고 있습니다.2025-12-23 -
STMicroelectronics STDRIVEG612 600 V 하프 브리지 게이트 드라이버향상된 모드인 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화된 하프 브리지 게이트 드라이버입니다.2025-12-19 -
STMicroelectronics STDRIVEG212 220 V 하프 브리지 게이트 드라이버향상된 모드인 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화된 하프 브리지 게이트 드라이버입니다.2025-12-19 -
Texas Instruments UCC27302A/UCC27302A-Q1 게이트 드라이버빠른 응답과 높은 전류 성능이 필요한 스위칭 애플리케이션용으로 설계되었습니다.2025-11-19 -
Toshiba TB9084FTG Automotive Gate Driver ICDesigned for automotive brushless motors, equipped with a charge pump and several types of circuits.2025-11-19 -
STMicroelectronics STSID140-12 SMD 절연 사이리스터 드라이버산업용 앱과 소비자 앱에서 전력 사이리스터를 위한 강력하고 효율적인 트리거를 제공하도록 설계되었습니다.2025-10-28 -
Texas Instruments UCC27212A-Q1 게이트 드라이버다양한 애플리케이션에서 높은 효율과 견고한 성능을 위해 설계된 자동차 드라이버입니다.2025-10-09 -
Texas Instruments UCC21351x-Q1 게이트 드라이버다양한 전력 애플리케이션에서 고효율, 고출력 밀도, 견고성을 구현합니다.2025-10-09 -
Infineon Technologies EiceDRIVER1ED301xMC12I게이트 드라이버 ICIGBT, Si 또는 SiC MOSFET을 위한 광 호환, 갈바닉 절연 단일 채널 게이트 드라이버.2025-09-30 -
Texas Instruments LMG3626 700V 220mΩ GaN FET게이트 드라이버, 보호 및 전류 감지를 단일 8mm x 5.3mm QFN 패키지에 결합합니다.2025-09-29 -
Texas Instruments LMG2656 650V GaN 전력 FET 하프 브리지설계를 간소화하고, 구성 요소 수를 줄이며, 보드 공간을 절약하며 6mm x 8mm QFN 패키지로 제공됩니다.2025-09-09 -
IXYS IX4352NEAU 로우 측 게이트 드라이버SiC MOSFET 및 고전 력 IGBT를 구동하기 위해 특별히 설계되었습니다.2025-09-04 -
STMicroelectronics STDRIVEG210 하프 브리지 게이트 드라이버N-채널 증가 모드 질화갈륨 및 하이 사이드 드라이버 섹션은 최대 220V의 전압 레일을 견딜 수 있습니다.2025-08-28 -
STMicroelectronics STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버N-채널 증가 모드의 경우 질화칼륨 및 하이사이드 드라이버 섹션은 최대 220V까지 전압 레일을 견딜 수 있습니다.2025-08-28 -
STMicroelectronics L98GD8 자동차 MOSFET 프리 드라이버로우 측, 하이 측, 피크 및 홀드, H-브리지 부하 제어용으로 구성 가능합니다.2025-08-18 -
EPC EPC23102 100V 35A ePower™ Stage ICCombines core blocks and eGaN® output FETs into a single monolithic IC in a 3.5mm x 5mm QFN package.2025-08-01 -
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1 이중 채널 게이트 드라이버이 장치는 MOSFET, IGBT 및 SiC 전원 스위치를 효과적으로 구동합니다.2025-06-19 -
ROHM Semiconductor BD16951EFV-M 2채널 하프 브리지 게이트 드라이버독립적으로 제어되는 4개의 외부 MOSFET과 최대 7MHz SPI 클록을 제공2025-06-10 -
Vishay SiC658A 50 A VRPower® 집적 전원단높은 효율과 우수한 열 성능 덕분에 고전류 애플리케이션에 이상적입니다.2025-05-13 -
Texas Instruments UCC5350L-Q1 단일 채널 절연 게이트 드라이버10A 소스 및 10A 싱크의 전형적인 피크 전류는 MOSFET, IGBT 및 SiC MOSFET을 구동하도록 설계되었습니다.2025-05-09 -
