onsemi e2PowerEdge 저VCE(sat) 트랜지스터
onsemi e2PowerEdge 저VCE(sat) 트랜지스터는 초저 포화 전압(VCE(sat))과 높은 전류 이득 성능을 갖춘 소형 표면 실장 장치입니다. 경제적이고 효율적인 에너지 제어가 필수적인 저전압, 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 일반적으로 셀룰러 및 무선 전화 , PDA, 컴퓨터, 프린터, 디지털 카메라 및 MP3 플레이어와 같은 휴대용 및 배터리 전원 공급식 제품의 DC-DC 컨버터 및 전력 관리에 사용됩니다. 다른 애플리케이션으로는 디스크 및 테이프 드라이브와 같은 대용량 저장장치의 저압 모터 제어 장치가 있습니다. 이 장치는 자동차 산업의 에어백 배치와 계기 클러스터에 사용할 수 있습니다. 고전류 이득 덕분에 PMU & rsquo; S 제어 출력에서 onsemi e2PowerEdge 장치를 직접 구동할 수 있으며, 선형 이득(베타)덕분에 아날로그 증폭기에 이상적인 구성요소가 됩니다.특징
- 고전류
- 낮은 VCEsat
- ESD 견고성
- 고전류 이득
- 높은 차단 주파수
- 로우 프로파일 패키지
- 선형 이득(베타)
애플리케이션
- 부하 전환
- 배터리 충전
- 외부 패스 트랜지스터
- DC-DC 컨버터
- 무료 드라이버
- 전류 확장 및 저드롭아웃 조정
- 음극 형광 램프 드라이브
- 주변기기 드라이버 - LED, 모터, 계전기
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 패키지/케이스 | 트랜지스터 극성 | 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO | 콜렉터-이미터 포화 전압 | 최대 DC 콜렉터 전류 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSS40301MDR2G | ![]() |
SOIC-8 | NPN | 40 V | 82 mV | 3 A |
| NSV1C301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS40300DDR2G | ![]() |
SOIC-8 | PNP | 40 V | 135 mV | 3 A |
| NSS40300MDR2G | ![]() |
SOIC-8 | PNP | 40 V | 135 mV | 3 A |
| NSS40301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS40302PDR2G | ![]() |
SOIC-8 | NPN, PNP | 40 V | 82 mV, 135 mV | 3 A |
| NSS12100UW3TCG | ![]() |
WDFN3 | PNP | 12 V | 400 mV | 1 A |
| NSS1C301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS20200DMTTBG | ![]() |
WDFN6 | 20 V | 250 mV | ||
| NSS60200LT1G | ![]() |
SOT-23-3 | PNP | 60 V | 180 mV | 2 A |
게시일: 2024-05-14
| 갱신일: 2025-10-27

