양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
NSV20200DMTWTBG
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863-NSV20200DMTWTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
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세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN6
Dual
20 V
20 V
250 mV
AEC-Q101
NSS20200DM
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양극성 트랜지스터 - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
NSV40302PDR2G
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863-NSV40302PDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT COMP 40V NPN/PNP LO
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세부 정보
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN, PNP
Dual
3 A
40 V
40 V
6 V, 7 V
82 mV, 135 mV
653 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS40302P
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양극성 트랜지스터 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
NSS40302PDR2G
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863-NSS40302PDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN, PNP
Dual
3 A
40 V
40 V
6 V, 7 V
82 mV, 135 mV
783 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS40302PD
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양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
NSS20201DMTTBG
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863-NSS20201DMTTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
3,000 재고 상태
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세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN-6
NPN
Dual
20 V
20 V
7 V
330 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS20201DM
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양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
NSS60101DMTTBG
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27,000 예상 2026-12-25
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863-NSS60101DMTTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
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세부 정보
Si
SMD/SMT
NPN
Single
1 A
60 V
60 V
6 V
130 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS60101DMT
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양극성 트랜지스터 - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
NSS40300MDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
PNP
Dual
3 A
40 V
40 V
7 V
135 mV
783 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS40300MD
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양극성 트랜지스터 - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
NSS40301CTWG
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863-NSS40301CTWG
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양극성 트랜지스터 - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
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LFPAK-4
NSS40301CT
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양극성 트랜지스터 - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
NSS40301MDR2G
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863-NSS40301MDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
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세부 정보
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
3 A
40 V
40 V
6 V
82 mV
783 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS40301MD
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양극성 트랜지스터 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
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NSS60200LT1G
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863-NSS60200LT1G
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양극성 트랜지스터 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Single
2 A
60 V
80 V
7 V
180 mV
540 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS60200LT1G
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양극성 트랜지스터 - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive
NSV1C301CTWG
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₩1,482
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863-NSV1C301CTWG
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양극성 트랜지스터 - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor, Automotive
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LFPAK-4
NSS1C301CT
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양극성 트랜지스터 - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
NSS12100UW3TCG
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₩1,466.4
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863-NSS12100UW3TCG
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양극성 트랜지스터 - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
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Si
SMD/SMT
WDFN3
PNP
Single
1 A
12 V
12 V
5 V
400 mV
1.1 W
200 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS12100UW
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양극성 트랜지스터 - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A
NSS1C301CTWG
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₩2,480.4
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Mouser 부품 번호
863-NSS1C301CTWG
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양극성 트랜지스터 - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A
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LFPAK-4
NSS1C301CT
Reel, Cut Tape
양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
NSS20200DMTTBG
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₩1,684.8
2,980 재고 상태
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863-NSS20200DMTTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
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Si
SMD/SMT
WDFN6
Dual
20 V
20 V
250 mV
NSS20200DM
Reel, Cut Tape
양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
NSS40300DDR2G
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₩2,199.6
2,568 재고 상태
Mouser 부품 번호
863-NSS40300DDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
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대체 포장
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세부 정보
Si
SMD/SMT
SOIC-8
PNP
Dual
3 A
40 V
40 V
7 V
135 mV
783 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS40300DD
Reel, Cut Tape, MouseReel
양극성 트랜지스터 - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
NSS60201SMTTBG
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₩1,419.6
2,900 재고 상태
Mouser 부품 번호
863-NSS60201SMTTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
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세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN6
NPN
Single
60 V
60 V
6 V
115 mV
1.8 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
NSS60201SMT
Reel, Cut Tape
양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
NSV20201DMTWTBG
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₩1,825.2
2,860 재고 상태
Mouser 부품 번호
863-NSV20201DMTWTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
2,860 재고 상태
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세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN-6
NPN
Dual
20 V
20 V
7 V
330 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS20201DM
Reel, Cut Tape
양극성 트랜지스터 - BJT 40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
NSV40301CTWG
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₩2,574
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Mouser 부품 번호
863-NSV40301CTWG
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양극성 트랜지스터 - BJT 40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
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LFPAK-4
NSS40301CT
Reel, Cut Tape
양극성 트랜지스터 - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
이미지 +2개
NSV60200LT1G
onsemi
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₩1,279.2
1,250 재고 상태
63,000 주문 중
Mouser 부품 번호
863-NSV60200LT1G
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양극성 트랜지스터 - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1,250 재고 상태
63,000 주문 중
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12,000 예상 2027-03-02
21,000 예상 2027-03-12
30,000 예상 2027-06-09
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3,000
세부 정보
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
PNP
Single
2 A
60 V
80 V
7 V
170 mV
460 mW
100 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q100
NSS60200LT1G
Reel, Cut Tape, MouseReel
양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
NSV60101DMTWTBG
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12,000 주문 중
Mouser 부품 번호
863-NSV60101DMTWTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
12,000 주문 중
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3,000 예상 2026-12-11
9,000 예상 2027-02-19
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3,000
세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN6
NPN
Dual
1 A
60 V
60 V
6 V
200 mV
2.27 W
180 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS60101DMT
Reel, Cut Tape, MouseReel
양극성 트랜지스터 - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
NSV12100UW3TCG
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3,000:
₩496.1
비재고 리드 타임 42 주
Mouser 부품 번호
863-NSV12100UW3TCG
onsemi
양극성 트랜지스터 - BJT WDFN3 2*2 LOW VCE
비재고 리드 타임 42 주
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릴 :
3,000
세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN-3
PNP
Single
12 V
12 V
5 V
30 mV
740 mW
200 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS12100UW
Reel
양극성 트랜지스터 - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
NSV40300MDR2G
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1:
₩2,574
비재고 리드 타임 41 주
Mouser 부품 번호
863-NSV40300MDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT DUAL MATCHED 40V PNP LOW
비재고 리드 타임 41 주
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Si
SOIC-8
PNP
AEC-Q100
NSS40300MD
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양극성 트랜지스터 - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
NSV40301MDR2G
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2,500:
₩664.6
비재고 리드 타임 29 주
Mouser 부품 번호
863-NSV40301MDR2G
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양극성 트랜지스터 - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
비재고 리드 타임 29 주
대체 포장
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배수: 2,500
릴 :
2,500
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Si
SOIC-8
AEC-Q101
NSS40301MD
Reel
양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
NSV60200DMTWTBG
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3,000:
₩494.5
비재고 리드 타임 43 주
Mouser 부품 번호
863-NSV60200DMTWTBG
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양극성 트랜지스터 - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
비재고 리드 타임 43 주
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배수: 3,000
릴 :
3,000
세부 정보
Si
SMD/SMT
WDFN6
PNP
Dual
60 V
60 V
6 V
365 mV
1.8 W
155 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS60200DM
Reel