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onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET

onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET은 RDS(on) 및 정전용량이 낮은 소형 설치 공간 및 콤팩트한 설계의 MOSFET입니다. RDS(on) 값이 낮으므로 전도 손실 최소화에 도움이 되고 정전용량이 낮으므로 드라이버 손실이 최소화됩니다. 이런 단일 N-채널 전력 MOSFET은 무연 및 RoHS 규격을 준수하며 작동 온도 범위가 -55~175°C입니다.

특징

  • 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 최소화
  • 낮은 정전용량으로 드라이버 손실 최소화
  • 무연 및 RoHS 규격 준수
  • 소형 디자인을 위한 작은 설치 공간
  • -55~175°C 작동 온도 범위
  • 웨터블 플랭크 제품:
    • NVMFS5C406NLW, NVTFWS003N04C, NVTFWS015N04C
  • AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능:
    • NVTFWS015N04C, NVTFWS003N04C, FDBL9406L-F085, NVMFS5C406NLWF.

사양

  • 30V to 650V drain-source breakdown voltage range
  • 27A to 464A continuous drain current range
  • 520µΩ to 950mΩ drain-source resistance range
  • 1.2V to 4.5V gate-source threshold voltage range
  • 6.3nC to 178nC gate charge range
  • 3.2W to 340W power dissipation range

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부품 번호 데이터시트 설명 패키지/케이스 Pd - 전력 발산 Qg - 게이트 전하 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 Id - 연속 드레인 전류 표준 턴-온 지연 시간 표준 턴-오프 지연 시간 상승 시간 하강 시간
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G 데이터시트 MOSFET PTNG 120V SG SO-8FL-4 104 W 42 nC 4 V 6 mOhms 93 A
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게시일: 2019-07-22 | 갱신일: 2025-07-16