Micron RLDRAM 메모리
Micron RLDRAM 메모리는 빠른 SRAM과 같은 랜덤 액세스를 위한 고성능, 고밀도 솔루션입니다. 이 장치는 지속적인 고대역폭의 경우 첨단 DDR3을 능가합니다. RLDRAM은 혁신적인 회로 설계를 사용하여 액세스 사이클의 시작과 첫 번째 데이터를 사용할 수 있는 순간 사이의 시간을 최소화합니다. 따라서 RLDRAM은 10GbE, 40GbE 및 100GbE 패킷 버퍼링 및 검사에 이상적입니다. RLDRAM은 다양한 FPGA 및 네트워크 프로세서 솔루션에서 지원됩니다.
특징
- High-performance, high-density solution for fast SRAM-like random access
- Outpaces leading-edge DDR3 for sustained high bandwidth
- Circuit designs minimize the time between the beginning of an access cycle and the instant that the first data is available
애플리케이션
- 10GbE, 40GbE, and 100GbE packet buffering and inspections
- FPGAs
- Network processor solutions
밀도별
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게시일: 2018-07-24
| 갱신일: 2023-03-03