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MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

Name: Micron Technology MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Brand: Micron
SKU: 340-265837-REEL
Price: 116766 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

340-265837-REEL

제조업체 번호:

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

제조업체:

Micron

설명:

DRAM DDR3 4G 512MX8 FBGA

데이터시트:

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Micron Technology
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM - DDR3L
메모리 크기:	4 Gbit
데이터 버스 너비:	8 bit
최대 클록 주파수:	933 MHz
패키지/케이스:	FBGA-78
조직:	512 M x 8
액세스 시간:	20 ns
공급 전압 - 최소:	1.283 V
공급 전압 - 최대:	1.45 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 105 C
시리즈:	MT41K
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Micron
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	44 mA
단위 중량:	2.006 g

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속성 선택됨: 0

                        
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문서 필터:

데이터시트

MT41K512M8DA-107 AAT:P TR 데이터시트 (PDF)

규정 준수 코드

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 타이완
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

DRAM

Micron DRAM은 엄격한 테스트를 거친 품질의 DRAM 구성 요소로 시장 출시 시간을 단축하는 데 사용할 수 있습니다. DRAM은 광범위한 응용 분야에 이상적입니다. 여기에는 산업 및 자동차 응용 분야의 극한 온도 및 성능 요구 사항이 포함됩니다. Micron은 엔터프라이즈 시스템의 정확한 사양에 맞는 올바른 설계 솔루션을 제공합니다.

DDR3 SDRAM

Micron DDR3 SDRAM은 데스크톱, 노트북, 서버 및 네트워킹을 위한 컴퓨팅 및 임베디드 시스템에 이상적입니다. 이 장치는 산업, 소비재 및 연결형 가정용 애플리케이션에 사용할 수 있습니다. Micron은 기술적 세부 사항을 정렬하고 애플리케이션을 위한 최상의 DDR3 솔루션을 추천할 수 있는 SDRAM의 업계 선두 업체입니다.

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.