MACOM Wolfspeed CGHV96100F2 GaN HEMT

탄화규소(SiC) 기판에 실장되는 Wolfspeed CGHV96100F2 GaN HEMT는 다른 기술에 비해 탁월한 전력 부가 효율을 제공하는 내부 정합형(IM) FET입니다. GaN은 더 높은 항복 전압, 더 높은 포화 전자 표류 속도, 더 높은 열전도율을 비롯해, 실리콘 또는 갈륨 비소보다 우수한 특성을 지니고 있습니다. 또한 GaN HEMT는 GaAs 트랜지스터에 비해 더 큰 전력 밀도와 더 넓은 대역폭을 제공합니다. 이 IM FET는 최적의 전기 및 열 성능을 위해 금속/세라믹 플랜지 패키지로 제공됩니다.