ISSI 512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM
ISSI 512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM은 8 뱅크 설정으로 내부적으로 구성된 고속 동적 랜덤 액세스 메모리 장치입니다. 더블 데이터 속도 4 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(DDR4 SDRAM) 뱅크는 각각 4개의 DRAM 뱅크가 있는 2개의 그룹으로 구성됩니다. DDR4 SDRAM은 8N 프리페치 아키텍처를 사용하여 고속 작동을 실현합니다. ISSI 4GB DDR4 SDRAM 장치는 최대 2,666Mbps의 고속 데이터 전송 속도를 제공하므로 전기통신 및 네트워킹, 자동차, 산업용 임베디드 컴퓨팅에 이상적입니다.
특징
- 표준 전압: VDD = VDDQ = 1.2V, VPP=2.5V
- 데이터 무결성
- DRAM 내장 TS에 의한 ASR(자동 자체 새로 고침)
- 자동 새로 고침 모드 및 자체 새로 고침 모드
- DRAM 액세스 대역폭
- 뱅크 그룹별로 분리된 IO 게이팅 구조
- 자체 새로 고침 중단
- 미세 단위 새로 고침
- 신호 동기화
- MR 설정을 통한 쓰기 균등화
- MPR을 통한 읽기 균등화
- 신뢰성 및 오류 처리
- 명령/주소 패리티
- 데이터 버스 쓰기 CRC
- MPR 판독
- 경계 스캔(x16)
- 신호 무결성
- 내부 VREFDQ 교육
- 프리앰블 읽기 교육
- 기어 다운 모드
- DRAM별 주소 지정
- 시스템 호환성을 위해 구성 가능한 DS
- 구성 가능한 온-다이 종단
- 데이터 버스 반전(DBI)
- 외부 ZQ 패드를 통한 DS/ODT 임피던스 정확도를 위한 ZQ 보정(240Ω +/-1%)
- 절전 및 효율
- VDDQ 종단 장치가 있는 POD
- 명령 주소 대기 시간(CAL)
- 최대 절전
- 저전력 자동 자체 새로 고침(LPASR)
애플리케이션
- 전기통신/네트워킹
- SDN, NFV
- 액세스 및 집계 노드
- 스위치 및 라우터
- 패킷 광학 전송
- 네트워크 스토리지(XPON OLT, DSLAM, CMTS, 무선)
- 자동차
- 인포테인먼트
- 텔레매틱스
- 운전자 정보 시스템
- 산업용
- 휴먼 머신 인터페이스
- 임베디드 컴퓨팅
관련 제품
ISSI DDR3 SDRAM
Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.
비디오
게시일: 2019-07-05
| 갱신일: 2024-03-05