512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM

ISSI 512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM은 8 뱅크 설정으로 내부적으로 구성된 고속 동적 랜덤 액세스 메모리 장치입니다. 더블 데이터 속도 4 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(DDR4 SDRAM) 뱅크는 각각 4개의 DRAM 뱅크가 있는 2개의 그룹으로 구성됩니다. DDR4 SDRAM은 8N 프리페치 아키텍처를 사용하여 고속 작동을 실현합니다. ISSI 4GB DDR4 SDRAM 장치는 최대 2,666Mbps의 고속 데이터 전송 속도를 제공하므로 전기통신 및 네트워킹, 자동차, 산업용 임베디드 컴퓨팅에 이상적입니다.

결과: 32
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 121재고 상태
2,574예상 2026-09-14
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배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT 328재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 10재고 상태
396주문 중
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배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s @ 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT 6재고 상태
272예상 2027-05-14
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BGA-78
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 963재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT 1,088재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
816예상 2027-04-23
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배수: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
5,978주문 중
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SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
680주문 중
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SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371주문 중
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SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272주문 중
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SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
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: 2,500
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
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: 2,500

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s @ 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

BGA-78
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s @ 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

BGA-78
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s @ 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

BGA-78
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
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SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
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SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
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: 2,000
BGA-96 Reel