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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET은 Infineon의 최첨단 전력 반도체 기술로 제작되었습니다. 이 MOSFET은 까다로운 자동차 애플리케이션에 필요한 고성능, 품질 및 견고성을 위해 특별히 설계되었습니다. OptiMOS™ 7 80V MOSFET은 ±20VGS 게이트 소스 전압과 -55°C ~ 175°C의 온도 범위에서 작동합니다. 이 MOSFET은 상단 냉각 SSO10T 5x7mm2 SMD 패키지로 제공됩니다. SSO10T 패키지는 사용자가 냉각 및 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. 80V 전력 MOSFET은 MSL-1 등급, RoHS 준수 및 100% 애벌런치 테스트를 거쳤습니다. 이 전력 MOSFET은 일반 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • ECU 하우징으로 직접 냉각 경로 제공
  • 열이 PCB로 거의 유입되지 않음
  • 업계 최대 노출 패드 면적
  • 패키지 아래로 트레이스 배선 자유도 확보
  • PCB 뒷면에 부품 실장 가능
  • 최첨단 온 저항 RDS(on)
  • 빠른 스위칭 시간(켜기/끄기)
  • 엄격한 임계 전압 VGS(th) 범위
  • AEC-Q101을 넘어서는 확장된 인증
  • 향상된 전기 테스트
  • 패키지는 JEDEC에 등재됨
  • 탁월한 열 관리 가능
  • 열 임피던스 20%~50% 향상
  • 열 저항 20%~50% 향상
  • ECU 부피 또는 PCB 면적 감소
  • PCB 비용(면적, Cu, 비아) 절감
  • PCB 및 시스템 설계 작업 감소
  • 최고 전력 밀도 달성
  • 전도 손실 감소
  • 탁월한 스위칭 성능
  • 병렬 배치에 적합
  • 자동차용 품질 및 견고성
  • 2차 공급업체로서의 잠재력

애플리케이션

  • 자동차:
    • 48V 전기 파워 스티어링(EPS)
    • LED 전조등
    • DC-AC 인버터

치수

기계 도면 - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET

OptiMOS™ 7 차량용 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V 자동차 전력 MOSFET

고전력 밀도, 저전도 손실, 최적화된 스위칭 동작.

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 자동차용 전력 MOSFET

40V의 혁신적이고 무연이며 견고한 전원 패키지로 전력 MOSFET 기술을 구현합니다.

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부품 번호 데이터시트 하강 시간 Id - 연속 드레인 전류 패키지/케이스 Pd - 전력 발산 Qg - 게이트 전하 Rds On - 드레인 소스 저항 상승 시간 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
IAUZN08S7N046ATMA1 IAUZN08S7N046ATMA1 데이터시트 7 ns 99 A PG-TDSON-8 94 W 27.2 nC 4.6 mOhms 3.7 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 데이터시트 25 ns 210 A PG-TDSON-8 169 W 79.9 nC 1.8 mOhms 11 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 데이터시트 20 ns 177 A PG-TDSON-8 148 W 65.2 nC 2.4 mOhms 9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN10S7L040ATMA1 IAUCN10S7L040ATMA1 데이터시트 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 100 V 16 V 2 V
IAUZN10S7N078ATMA1 IAUZN10S7N078ATMA1 데이터시트 5 ns 76 A PG-TDSON-8 94 W 22.2 nC 7.8 mOhms 3.6 ns 100 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 데이터시트 35 ns 293 A PG-TDSON-8 219 W 120 nC 1.26 mOhms 14 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 데이터시트 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 데이터시트 20 ns 262 A PG-LHDSO-10-3 205 W 83 nC 1.63 mOhms 18 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 데이터시트 17 ns 223 A PG-LHDSO-10-2 180 W 68 nC 1.94 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 데이터시트 16 ns 186 A PG-LHDSO-10-1 157 W 54 nC 2.44 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
게시일: 2025-07-23 | 갱신일: 2025-08-19