OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V 차량용 전력 MOSFET은 Infineon의 최첨단 전력 반도체 기술로 제작되었습니다. 이 MOSFET은 까다로운 자동차 애플리케이션에 필요한 고성능, 품질 및 견고성을 위해 특별히 설계되었습니다. OptiMOS™ 7 80V MOSFET은 ±20VGS 게이트 소스 전압과 -55°C ~ 175°C의 온도 범위에서 작동합니다. 이 MOSFET은 상단 냉각 SSO10T 5x7mm2 SMD 패키지로 제공됩니다. SSO10T 패키지는 사용자가 냉각 및 전력 밀도를 향상시키는 데 도움이 됩니다. 80V 전력 MOSFET은 MSL-1 등급, RoHS 준수 및 100% 애벌런치 테스트를 거쳤습니다. 이 전력 MOSFET은 일반 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 13
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,438재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,840재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,961재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,804재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,492재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,711재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,693재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
데이터시트
5,947재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
데이터시트
5,955재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
데이터시트
5,927재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
데이터시트
5,824재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
2,920재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 35 A 17.7 mOhms 16 V 2 V 11.8 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
데이터시트
3,955재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape