Infineon Technologies N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET

Infineon Technologies N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 N채널 트랜지스터입니다. 이 MOSFET은 매우 낮은 온 저항, 우수한 열 저항, dv/dt 견고성을 위한 뛰어난 밀러 비율을 제공합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지와 FOMoss에 모두 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 100% 애벌런치 테스트를 거쳤으며 RoHS 규정을 준수합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 IEC61249‑2‑21에 따라 무할로겐 제품입니다.

특징

  • 매우 낮은 온 저항 RDS(on)
  • 우수한 열 저항
  • 하드/소프트 스위칭 토폴로지에 최적화됨
  • FOMoss에 최적화됨
  • 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
  • IEC61249‑2‑21에 따라 무할로겐
  • 무연 도금
  • RoHS 준수
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부품 번호 데이터시트 하강 시간 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 Id - 연속 드레인 전류 Pd - 전력 발산 Qg - 게이트 전하 Rds On - 드레인 소스 저항 상승 시간 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 표준 턴-오프 지연 시간 표준 턴-온 지연 시간
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 데이터시트 3.6 ns 50 S 348 A 130 W 22 nC 640 uOhms 1.6 ns 16 V 2 V 25.5 ns 6.2 ns
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 데이터시트 5.2 ns 100 S 422 A 150 W 29 nC 500 uOhms 2 ns 12 V 1.7 V 35 ns 5.9 ns
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 데이터시트 4.4 ns 55 S 406 A 150 W 27 nC 540 uOhms 2 ns 16 V 2 V 29 ns 7 ns
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 데이터시트 5.2 ns 100 S 430 A 150 W 29 nC 480 uOhms 2 ns 12 V 1.7 V 35 ns 5.9 ns
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 데이터시트 4.4 ns 110 S 298 A 150 W 27 nC 500 uOhms 2 ns 16 V 2 V 29 ns 7 ns
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 데이터시트 5.1 ns 50 S 338 A 130 W 22 nC 680 uOhms 17 ns 16 V 2 V 24 ns 7.7 ns
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 데이터시트 2.7 ns 50 S 282 A 107 W 17.2 nC 800 uOhms 1.4 ns 16 V 2 V 20.1 ns 5.4 ns
IQEH84NE2LM7UCGATMA1 IQEH84NE2LM7UCGATMA1 데이터시트 2.4 ns 50 S 275 A 107 W 17.2 nC 840 uOhms 3 ns 16 V 2 V 18 ns 5.1 ns
ISC019N08NM7ATMA1 ISC019N08NM7ATMA1 데이터시트 7.5 ns 70 S 209 A 188 W 60 nC 1.9 mOhms 5.3 ns 20 V 3.2 V 28 ns 11 ns
게시일: 2025-09-24 | 갱신일: 2025-11-03