Infineon Technologies N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET
Infineon Technologies N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 N채널 트랜지스터입니다. 이 MOSFET은 매우 낮은 온 저항, 우수한 열 저항, dv/dt 견고성을 위한 뛰어난 밀러 비율을 제공합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지와 FOMoss에 모두 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 100% 애벌런치 테스트를 거쳤으며 RoHS 규정을 준수합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 IEC61249‑2‑21에 따라 무할로겐 제품입니다.특징
- 매우 낮은 온 저항 RDS(on)
- 우수한 열 저항
- 하드/소프트 스위칭 토폴로지에 최적화됨
- FOMoss에 최적화됨
- 100% 애버랜치(avalanche) 테스트 통과
- IEC61249‑2‑21에 따라 무할로겐
- 무연 도금
- RoHS 준수
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 하강 시간 | 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 | Id - 연속 드레인 전류 | Pd - 전력 발산 | Qg - 게이트 전하 | Rds On - 드레인 소스 저항 | 상승 시간 | Vgs - 게이트 소스 전압 | Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 | 표준 턴-오프 지연 시간 | 표준 턴-온 지연 시간 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 | ![]() |
3.6 ns | 50 S | 348 A | 130 W | 22 nC | 640 uOhms | 1.6 ns | 16 V | 2 V | 25.5 ns | 6.2 ns |
| IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | ![]() |
5.2 ns | 100 S | 422 A | 150 W | 29 nC | 500 uOhms | 2 ns | 12 V | 1.7 V | 35 ns | 5.9 ns |
| IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | ![]() |
4.4 ns | 55 S | 406 A | 150 W | 27 nC | 540 uOhms | 2 ns | 16 V | 2 V | 29 ns | 7 ns |
| IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 | ![]() |
5.2 ns | 100 S | 430 A | 150 W | 29 nC | 480 uOhms | 2 ns | 12 V | 1.7 V | 35 ns | 5.9 ns |
| IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | ![]() |
4.4 ns | 110 S | 298 A | 150 W | 27 nC | 500 uOhms | 2 ns | 16 V | 2 V | 29 ns | 7 ns |
| IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | ![]() |
5.1 ns | 50 S | 338 A | 130 W | 22 nC | 680 uOhms | 17 ns | 16 V | 2 V | 24 ns | 7.7 ns |
| IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 | ![]() |
2.7 ns | 50 S | 282 A | 107 W | 17.2 nC | 800 uOhms | 1.4 ns | 16 V | 2 V | 20.1 ns | 5.4 ns |
| IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | ![]() |
2.4 ns | 50 S | 275 A | 107 W | 17.2 nC | 840 uOhms | 3 ns | 16 V | 2 V | 18 ns | 5.1 ns |
| ISC019N08NM7ATMA1 | ![]() |
7.5 ns | 70 S | 209 A | 188 W | 60 nC | 1.9 mOhms | 5.3 ns | 20 V | 3.2 V | 28 ns | 11 ns |
게시일: 2025-09-24
| 갱신일: 2025-11-03

