N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET

Infineon Technologies N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 N채널 트랜지스터입니다. 이 MOSFET은 매우 낮은 온 저항, 우수한 열 저항, dv/dt 견고성을 위한 뛰어난 밀러 비율을 제공합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지와 FOMoss에 모두 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 100% 애벌런치 테스트를 거쳤으며 RoHS 규정을 준수합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 IEC61249-2-21에 따라 무할로겐입니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 2,327재고 상태
10,000예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 2,030재고 상태
10,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V 513재고 상태
5,000예상 2026-09-03
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 14,766재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 5,327재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 5,321재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 4,478재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 4,426재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 4,469재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 5,153재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V 4,472재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 6,553재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape