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Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S 모듈(SiC MOSFET 포함) & NTC

SiC MOSFET 및 NTC가 탑재된 Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S 모듈은 특히 하이브리드 및 전기자동차(xEV)의 까다로운 자동차 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 전력 모듈입니다. 이 소형 하프 브리지 모듈은 탄화 규소(SiC) MOSFET( ) 및 NTC 서미스터를 통합하여 뛰어난 효율과 열 성능을 제공합니다. 1200V의 블로킹 전압 및 190A의 공칭 전류 정격을 보유한 이 모듈은 SiC 기술의 고유한 장점 덕분에 낮은 전도 및 스위칭 손실로 고속 스위칭을 지원합니다.

이 모듈은 저유도 설계(<8 nh)가="" 특징이며="" 양면="" 냉각(dsc)을="" 사용하여="" 방열을="" 강화하여="" 최대="" +175°c의="" 접합부="" 온도에서="" 작동할="" 수="" 있습니다.="" aln="" 기판은="" 낮은="" 열="" 저항을="" 보장하며,="" 통합="" ntc="" 센서는="" 시스템="" 보호를="" 위해="" 실시간="" 온도="" 모니터링을="" 제공합니다.="" ff06mr12a04ma2는="" rohs를="" 준수하고="" ul="" 94v-0="" 등급을="" 받았으며="" infineon의="" 자동차="" 표준에="" 따라="" 검증되어="" 차세대="" 전기="" 구동="" 시스템을="" 위한="" 견고하고="" 효율적인="">

특징

  • 전기적
    • 1200V의 최대 드레인-소스 전압
    • 190A의 구현된 드레인 전류
    • 380A의 최대 순방향 누설 전류
    • 낮은(≤8nH) 인덕티브 설계
    • 낮은 드레인 및 소스의 온-상태 저항(RDSon)
    • 낮은 스위칭 손실
    • 낮은 총 게이트 전하 및 역전송 커패시턴스
    • 탄화 규소(SiC) 반도체 소재
    • +175°C의 스위칭 조건에서의 온도
  • 기계적
    • 4.25kVDC 단열재(1s)
    • 소형 설계
    • 고출력 밀도
    • 열 저항이 낮은 AIN 기질
    • 통합 NTC 온도 센서
    • UL 94-V0 등급 모듈 프레임
  • IFX 자동차 표준에 따른 인증
  • RoHS 준수

애플리케이션

  • 자동차 전장
  • 하이브리드 전기자동차 [(H)EV]
  • 모터 드라이브

사양

  • MOSFET
    • 1200V의 최대 드레인-소스 전압
    • 190A의 최대 DC 드레인 전류
    • 380A의 최대 펄스 드레인 전류
    • 게이트-소스 전압
      • -5/20V의 최대 정전압
      • -10/23V의 최대 과도 전압
    • 18V의 온 상태 게이트 전압
    • -5V의 오프 상태 게이트 전압
    • 최대 14.50mΩ의 드레인-소스 온 저항
    • 3.25V~4.55V의 게이트 임계 전압 범위
    • 0.42µC의 일반적인 총 게이트 전하
    • 0.9Ω의 내부 게이트 저항
    • 일반 정전용량
      • 10.1 nF 입력
      • 출력: 0.43 nF
      • 0.04nF의 역전송
    • 최대 누설 전류
      • 100µA의 드레인 소스
      • 100nA의 게이트 소스
    • 일반 시간(유도 부하)
      • 29ns~32ns 켜기 지연
      • 23ns~25ns의 상승
      • 228ns~251ns의 끄기 지연
      • 53ns~62ns의 하강
    • 펄스당 일반적인 에너지 손실
      • 7.10mJ~9.90mJ 켜기 범위
      • 8.30mJ~9.10mJ 끄기 범위
    • 0.251K/W의 접합부-냉각 유체 열 저항
    • -40°C~+175°C의 스위칭 조건에서 온도 범위
  • 절연 조정
    • 4.25kV의 절연 테스트 전압
    • AIN 내부 격리
    • 연면거리
      • 8.5mm의 터미널-방열판
      • 4.3mm의 터미널-터미널
    • 공간거리
      • 8.5mm의 터미널-방열판
      • 3.4mm의 터미널-터미널
    • >600의 비교 추적 지수
    • 7.5nH의 일반 부유 인덕턴스 모듈
    • 0.45mΩ의 모듈 리드 저항, 단자-칩
  • 보디 다이오드(MOSFET)
    • 1200V의 최대 드레인-소스 전압
    • 75A의 최대 DC 보디 다이오드 순방향 전류
    • 380A의 최대 펄스 보디 다이오드 전류
    • 6.88 V 최대 순방향 전압
    • 43A~98A 일반 피크 역회복 전류
    • 0.50µC~3.40µC의 회수 전하 범위
    • 0.1mJ~0.8mJ의 일반 역회수 에너지
  • NTC 서미스터
    • 5kΩ의 일반 정격 저항
    • ±5%의 편차 R100
    • 20mW의 최대 전력 손실
    • 3375K~3433K의 일반적인 B 값 범위

회로 선도

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개발 도구

게시일: 2025-06-20 | 갱신일: 2025-07-22