FF06MR12A04MA2AKSA1

Infineon Technologies
726-FF06MR12A04MA2AK
FF06MR12A04MA2AKSA1

제조업체:

설명:
디스크리트 반도체 모듈 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

라이프사이클:
신제품:
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데이터시트:
ECAD 모델:
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120 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: 디스크리트 반도체 모듈
RoHS:  
Modules
1 N-Channel
SiC
5.15 V
- 5 V, + 20 V
Press Fit
HybridPACK
- 40 C
+ 175 C
Tube
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
하강 시간: 53 ns
Id - 연속 드레인 전류: 190 A
제품 유형: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 드레인 소스 저항: 14.5 mOhms
상승 시간: 25 ns
팩토리 팩 수량: 120
하위 범주: Discrete and Power Modules
상표명: CoolSiC
트랜지스터 극성: N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 228 ns
표준 턴-온 지연 시간: 32 ns
Vds - 드레인 소스 항복 전압: 1.2 kV
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압: 4.55 V
부품번호 별칭: FF06MR12A04MA2 SP005558866
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데이터시트

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CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

HybridPACK™ DSC S 모듈(SiC MOSFET 포함) & NTC

SiC MOSFET 및 NTC가 탑재된 Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S 모듈은 특히 하이브리드 및 전기자동차(xEV)의 까다로운 자동차 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 전력 모듈입니다. 이 소형 하프 브리지 모듈은 탄화 규소(SiC) MOSFET( ) 및 NTC 서미스터를 통합하여 뛰어난 효율과 열 성능을 제공합니다. 1200V의 블로킹 전압 및 190A의 공칭 전류 정격을 보유한 이 모듈은 SiC 기술의 고유한 장점 덕분에 낮은 전도 및 스위칭 손실로 고속 스위칭을 지원합니다.

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