Infineon Technologies CoolSiC™1 400 VSiC G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™1 400 V실리콘 카바이드(SiC) G2 MOSFET은TO-247PLUS-4리플로우 패키지로 제공됩니다. 이러한 인피니언 MOSFET은 전기 자동차 (EV) 충전, 배터리 에너지 저장 시스템 (BESS), 상용/건설/농업용 차량 (CAV) 등과 같은 고출력 전력 애플리케이션에 적합합니다. CoolSiC™ MOSFET G2 1400V 기술은 향상된 열 성능, 높은 전력 밀도, 그리고 강화된 신뢰성을 제공하는 최첨단 기술입니다. 이 패키지는 리플로우 가능 (최대 3회 리플로우 납땜 가능)하여 낮은 열 저항을 제공합니다.
특징
- 매우 낮은 스위칭 손실
- 패키지 뒷면은 리플로우 납땜에 적합+260 °C 3 배
- 최대 Tvj까지 과부하 작동 =+200 °C
- 2µs 단락 내성 시간
- 4.2 V벤치마크 게이트 임계 전압
- 전력 밀도 및 시스템 출력 전력 증가
- 기생 턴온에 강하며 0V 게이트 전압으로 턴오프가 가능합니다.
- 하드 커뮤테이션용 강력한 바디 다이오드
- 밀러 효과에 강함
- .최고 수준의 열 성능을 위한 XT 상호 연결 기술
- 전반적인 효율성 향상
- 간편한 병렬 연결
- 과도 과부하 및 애벌랜치 조건에 강함
- 높은 전류 용량을 위한 폭 2mm 전원 핀
- 직접 버스바 연결을 위한 저항성 용접 핀
- 높은 10.8mm 크리페이지 거리와 CTI ≥ 600V를 갖춘 TO247PLUS(PG-TO247-4-U08) 패키지
- JEDEC47/20/22 기준에 따른 산업용 애플리케이션 적합 인증 완료
- 무연, 무할로겐, RoHS 준수 그린 장치
애플리케이션
- CAV
- EV 충전
- 온라인/산업용 무정전 전원 공급 장치(UPS)
- 스트링 인버터
- BESS
- GPD(범용 드라이브)
사양
- 1 400 V최대 드레인-소스 전압
- 5.5 V최대 드레인-소스 역전압
- 연속 DC 드레인 전류 범위
- 147 A ~ 207 A (IMYR140R008M2H)
- 71 A ~ 100 A (IMYR140R019M2H)
- 213 A(IMYR140R019M2H) 또는441 A(IMYR140R008M2H) 피크 드레인 전류
- 최대 게이트-소스 전압 범위
- -10V ~ 25V 과도 전압 범위
- -7V ~ 23V 정전압 범위
- 애벌랜치 에너지
- IMYR140R008M2H: 단일 펄스 1159mJ, 반복 펄스 5.8mJ
- IMYR140R019M2H: 단일 펄스 506mJ, 반복 펄스 2.5mJ
- 최대 2µs 단락 시간
- 전력 손실 범위
- 360 W ~ 710 W (IMYR140R008M2H)
- 192 W ~ 385 W (IMYR140R019M2H)
- 권장 게이트 전압 범위
- 15 V ~ 18 V (IMYR140R008M2H)
- -5 V ~ 0 V (IMYR140R019M2H)
- 최대 드레인-소스 온 상태 저항: 23.4mΩ (IMYR140R008M2H) 또는 53.8mΩ (IMYR140R019M2H)
- 5.1 V최대 게이트-소스 임계 전압
- 최대 제로 게이트 전압 드레인 전류: 300µA (IMYR140R019M2H) 또는 690µA (IMYR140R008M2H)
- 최대 게이트 누설 전류 ±120nA
- 대표 순방향 트랜스컨덕턴스: 27S (IMYR140R019M2H) 또는 63S (IMYR140R008M2H)
- 대표 내부 게이트 저항: 2.1Ω (IMYR140R019M2H) 또는 4.4Ω (IMYR140R008M2H)
- 표준 정전용량
- 입력 용량: 2860pF (IMYR140R019M2H) 또는 6450pF (IMYR140R008M2H)
- 출력 용량: 99pF (IMYR140R019M2H) 또는 225pF (IMYR140R008M2H)
- 역전송 용량: 9pF (IMYR140R019M2H) 또는 20pF (IMYR140R008M2H)
- 대표 출력 전하: 172nC (IMYR140R019M2H) 또는 394nC (IMYR140R008M2H)
- 일반적인 유효 출력 커패시턴스
- 에너지 관련 용량: 197pF (IMYR140R019M2H) 또는 447pF (IMYR140R008M2H)
- 시간 관련 용량: 215pF (IMYR140R019M2H) 또는 493pF (IMYR140R008M2H)
- 총 게이트 전하: 90nC (IMYR140R019M2H) 또는 203nC (IMYR140R008M2H)
- 플래토 게이트 전하: 30nC (IMYR140R019M2H) 또는 67nC (IMYR140R008M2H)
- 게이트-투-드레인 전하: 18nC (IMYR140R019M2H) 또는 40nC (IMYR140R008M2H)
- 표준 시간
- 턴온 지연 시간: 9ns (IMYR140R019M2H) 또는 31ns (IMYR140R008M2H)
- 상승 시간: 4.7ns (IMYR140R019M2H) 또는 17ns (IMYR140R008M2H)
- 턴온 지연 시간: 23ns (IMYR140R019M2H) 또는 80ns (IMYR140R008M2H)
- 하강 시간: 9.5ns (IMYR140R019M2H) 또는 34ns (IMYR140R008M2H)
- +25°C에서의 통상적인 에너지
- 턴온 시 대표 에너지: 548µJ (IMYR140R019M2H) 또는 2720µJ (IMYR140R008M2H)
- 턴오프 시 대표 에너지: 120µJ (IMYR140R019M2H) 또는 1980µJ (IMYR140R008M2H)
- 총 스위칭 에너지: 918µJ (IMYR140R019M2H) 또는 5100µJ (IMYR140R008M2H)
- +25°C에서 MOSFET 순방향 복구 전하: 0.13µC (IMYR140R019M2H) 또는 0.18µC (IMYR140R008M2H)
- +25°C에서 대표 MOSFET 피크 순방향 복구 전류: 9.6A (IMYR140R019M2H) 또는 16A (IMYR140R008M2H)
- +25°C에서 대표 MOSFET 피크 순방향 복구 에너지: 250µJ (IMYR140R019M2H) 또는 400µJ (IMYR140R008M2H)
- 열 저항
- 최대 접합-대기 열저항: 62K/W
- 최대 MOSFET/바디 다이오드 접합-케이스 열저항 범위: 0.21K/W ~ 0.39K/W
- +260 °C최대 납땜 온도
- 최대 5000배 주기 수명
데이터시트
계통도
게시일: 2025-09-25
| 갱신일: 2025-11-03