CoolSiC™1 400 VSiC G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™1 400 V실리콘 카바이드(SiC) G2 MOSFET은TO-247PLUS-4리플로우 패키지로 제공됩니다. 이러한 인피니언 MOSFET은 전기 자동차 (EV) 충전, 배터리 에너지 저장 시스템 (BESS), 상용/건설/농업용 차량 (CAV) 등과 같은 고출력 전력 애플리케이션에 적합합니다. CoolSiC™ MOSFET G2 1400V 기술은 향상된 열 성능, 높은 전력 밀도, 그리고 강화된 신뢰성을 제공하는 최첨단 기술입니다. 이 패키지는 리플로우 가능 (최대 3회 리플로우 납땜 가능)하여 낮은 열 저항을 제공합니다.

결과: 10
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 225재고 상태
최소: 1
배수: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 209재고 상태
최소: 1
배수: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 207재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 238재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 224재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 11재고 상태
240예상 2026-04-23
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
240예상 2026-03-26
최소: 1
배수: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
224예상 2026-02-19
최소: 1
배수: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
240예상 2026-02-19
최소: 1
배수: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
240예상 2026-02-19
최소: 1
배수: 1

CoolSiC