Infineon Technologies S80KS2562 및 S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0 메모리
Infineon Technologies S80KS2562 및 S80KS2563 HYPERRAM™ 2.0 메모리는 HyperBUS (S80KS2562) 또는 Octal xSPI (S80KS2563) 인터페이스가 있는 고속, 적은 핀 수, 저전력 자동 새로고침 DRAM (동적 RAM) 입니다. 두 장치 모두 200MHz의 최대 클록 속도, 최대 400MBps의 데이터 처리량, 에너지 절약형 하이브리드 절전 및 딥 파워 다운 모드를 제공합니다. S80KS2562 및 S80KS2563 HYPERRAM은 스크래치 패드 또는 버퍼링 목적으로 확장 메모리를 필요로 하는 고성능 임베디드 시스템에서 사용하기에 이상적입니다.
HyperBus 및 Octal xSPI 인터페이스는 HYPERRAM 제품에 의해 지원되는 병렬 및 직렬 인터페이스 메모리의 레거시 기능에 의존하는 동시에 시스템 성능을 향상시키고 설계를 용이하게 하며 시스템 비용을 절감합니다.
핀 수가 적은 구조 덕분에 HYPERRAM은 오프칩 외부 RAM이 필요한 전원 및 보드 공간이 제한된 애플리케이션에 특히 적합합니다.
Infineon Technologies S80KS2562 및 S80KS2563 256Mb HYPERRAM 메모리는 24볼 FBGA (Fine-Pitch BGA (볼 그리드 어레이)) 패키지로 제공됩니다.
특징
- 기술: 25nm DRAM
- 인터페이스
- S80KS2562: HyperBUS™ 인터페이스
- S80KS2563: xSPI (Octal) 인터페이스
- 1.8V 인터페이스 지원
- 11 버스 신호가 있는 단일 종단 클록 (CK)
- 12 버스 신호가 있는 선택적 차동 클록 (CK, CK#)
- 칩 선택 (CS#)
- 8비트 데이터 버스 (DQ[7:0])
- 하드웨어 리셋 (리셋#)
- 양방향 RWDS (읽기-쓰기 데이터 스트로브)
- 새로고침 대기시간을 나타내는 모든 트랜잭션 시작 시 출력
- 읽기 트랜잭션 동안 RDS (읽기 데이터 스트로브) 로 출력
- 쓰기 트랜잭션 동안 WDM (쓰기 데이터 마스크) 으로 입력
- 어레이 새로고침
- 분할 메모리 어레이
- 전체
- 전원
- 22mA/25mA 버스트 읽기/쓰기 소비 전류
- 하이브리드 절전 모드
- 딥 전원 다운 모드
- 성능
- 200MHz 최대 클록 속도
- 35ns 최대 접근 시간
- DDR - 클록의 양쪽 에지에서 데이터 전송
- 최대 400MBps (3200Mbps) 의 데이터 처리량
- 구성 가능한 버스트 특성
- 선형 버스트
- 래핑된 버스트 길이
- 16바이트 (8 클록)
- 32바이트 (16 클록)
- 64바이트 (32 클록)
- 128바이트 (64 클록)
- 하이브리드 옵션 - 래핑된 버스트 다음에 오는 선형 버스트
- 구성 가능한 출력 드라이브 강도
- 패키지
- 6.0mm x 8.0mm FBGA-24 패키지, 1.0mm 피치
애플리케이션
- 자동차 계기판, 인포테인먼트 및 텔레매틱스 시스템
- 산업용 및 소비자 HMI 디스플레이 패널
- 산업용 머신 비전
- 소비자 웨어러블 기기
- 통신 모듈
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게시일: 2021-12-29
| 갱신일: 2023-04-25