S80KS2562 및 S80KS2563 256Mb HYPERRAM™ 2.0 메모리

Infineon Technologies S80KS2562 및 S80KS2563 HYPERRAM™ 2.0 메모리는 HyperBUS (S80KS2562) 또는 Octal xSPI (S80KS2563) 인터페이스가 있는 고속, 적은 핀 수, 저전력 자동 새로고침 DRAM (동적 RAM) 입니다.  두 장치 모두 200MHz의 최대 클록 속도, 최대 400MBps의 데이터   처리량, 에너지 절약형 하이브리드 절전 및   딥 파워 다운 모드를 제공합니다. S80KS2562 및 S80KS2563 HYPERRAM은 스크래치 패드 또는 버퍼링 목적으로 확장 메모리를 필요로 하는 고성능 임베디드 시스템에서 사용하기에 이상적입니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
137재고 상태
520예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
421재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2563GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
131재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
1,014주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray