Diodes Incorporated(으)로 돌아가기

Diodes Incorporated DMTH6005 N채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Inc. DMTH6005 N채널 강화 모드 MOSFET은 온-상태 저항(RDS(ON))을 최소화하고 탁월한 스위칭 성능을 유지합니다. DMTH6005 MOSFET은 VGS = 10V RDS(ON)에서 최대 5.5mΩ, 60V의 드레인 소스 항복 전압, 100% 클램핑 해제 유도 스위칭을 제공합니다. 정격 온도가 175ºC인 이런 MOSFET은 주변 온도가 높은 환경에 이상적입니다. DMTH6005LPSQ는 자동차 등급인 AEC-Q101 인증을 받은 제품으로, PPAP를 지원합니다. DMTH6005 MOSFET용 애플리케이션으로는 고주파 스위칭, 동기식 정류 및 DC-DC 컨버터가 포함됩니다.

특징

  • +175ºC의 정격 온도 – 주변 온도가 높은 환경에 이상적임
  • 클램핑이 발생하지 않도록 100% 보장되어야 하는 유도 전류 스위칭 – 더욱 신뢰성 있고 견고한 종단 애플리케이션 보장
  • 낮은 RDS(ON) – 전력 손실 최소화
  • 낮은 Qg – 스위칭 손실 최소화
  • 무연 마감 처리, RoHS 규격 준수
  • 무할로겐 및 무안티몬 "친환경" 장치
  • 높은 신뢰성을 위한 AEC-Q101 표준 인증 획득(DMTH6005LPSQ)
  • PPAP 가능(DMTH6005LPSQ)
  • 케이스: POWERDI® 5060-8 
  • 케이스 재질: 성형 플라스틱, “친환경” 몰딩 복합재. UL 가연성 분류 등급 94V-0
  • 습도 민감도: J-STD-020에 따른 레벨 1
  • 단말 마감 - 구리 리드프레임 위로 무광택 주석 어닐링. MIL-STD-202, Method 208에 따라 납땜 가능
  • 무게: 0.097g(근사값)

애플리케이션

  • 고주파 스위칭
  • 동기화 정류
  • DC-DC 컨버터

POWERDI®5060-8 케이스

Diodes Incorporated DMTH6005 N채널 강화 모드 MOSFET
게시일: 2017-03-27 | 갱신일: 2022-03-11