DMTH6005 N채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Inc. DMTH6005 N채널 강화 모드 MOSFET은 온-상태 저항(RDS(ON))을 최소화하고 탁월한 스위칭 성능을 유지합니다. DMTH6005 MOSFET은 VGS = 10V RDS(ON)에서 최대 5.5mΩ, 60V의 드레인 소스 항복 전압, 100% 클램핑 해제 유도 스위칭을 제공합니다. 정격 온도가 175ºC인 이런 MOSFET은 주변 온도가 높은 환경에 이상적입니다. DMTH6005LPSQ는 자동차 등급인 AEC-Q101 인증을 받은 제품으로, PPAP를 지원합니다. DMTH6005 MOSFET용 애플리케이션으로는 고주파 스위칭, 동기식 정류 및 DC-DC 컨버터가 포함됩니다.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 2,679재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 30재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A 1,904재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20.6 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 5,826재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,327재고 상태
2,500예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel