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Diodes Incorporated DMTH4004 N채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Inc. DMTH4004 N채널 강화 모드 MOSFET는 온-상태 저항 RDS(ON)을 최소화하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET는 높은 주변 온도 환경에서 이상적이며 정격 온도는 최대 175°C입니다. N채널 MOSFET는 생산 시 100% UIS(Unclamped Inductive Switching) 테스트를 거쳤으며 보다 신뢰성 있고 견고한 최종 애플리케이션을 보장합니다. 이 MOSFET는 40V 드레인-소스 전압을 제공하고 스위칭 손실을 최소화합니다. DMTH4004 시리즈에서, DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ 및 DMTH4004LK3 MOSFET는 자동차용 애플리케이션의 엄격한 요구 조건을 충족하도록 설계되었습니다. 이러한 모든 MOSFET는 PPAP(생산 부품 승인 프로세스) 지원하며 AEC-Q101 표준 인증을 받았습니다. DMTH4004 시리즈 MOSFET은 엔진 관리 시스템, 차체 제어 전자장치 및 DC-DC 컨버터에 사용하기에 적합합니다.

특징

  • 높은 주변 온도 환경 조건에 이상적임
  • 낮은 RDS(ON)으로 전력 손실 최소화
  • 낮은 Qg – 스위칭 손실 최소화
  • 신뢰할 수 있고 견고한 최종 애플리케이션을 위한 100% 언클램핑 유도 스위칭
  • 무연
  • 무할로겐 및 무안티몬
  • 높은 신뢰성을 위한 AEC-Q101 표준 부합
  • PPAP 가능
  • J-STD-020에 따른 레벨 1 습기 감도
  • 94V-0 가연성 등급

애플리케이션

  • 엔진 관리 시스템
  • 본체 제어 전자 장치
  • DC-DC 컨버터

DMTH4004 N채널 강화 모드 MOSFET 내부 계통도

계통도 - Diodes Incorporated DMTH4004 N채널 강화 모드 MOSFET
게시일: 2016-07-04 | 갱신일: 2022-03-11