DMTH4004 N채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Inc. DMTH4004 N채널 강화 모드 MOSFET는 온-상태 저항 RDS(ON)을 최소화하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET는 높은 주변 온도 환경에서 이상적이며 정격 온도는 최대 175°C입니다. N채널 MOSFET는 생산 시 100% UIS(Unclamped Inductive Switching) 테스트를 거쳤으며 보다 신뢰성 있고 견고한 최종 애플리케이션을 보장합니다. 이 MOSFET는 40V 드레인-소스 전압을 제공하고 스위칭 손실을 최소화합니다. DMTH4004 시리즈에서, DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ 및 DMTH4004LK3 MOSFET는 자동차용 애플리케이션의 엄격한 요구 조건을 충족하도록 설계되었습니다. 이러한 모든 MOSFET는 PPAP(생산 부품 승인 프로세스) 지원하며 AEC-Q101 표준 인증을 받았습니다. DMTH4004 시리즈 MOSFET은 엔진 관리 시스템, 차체 제어 전자장치 및 DC-DC 컨버터에 사용하기에 적합합니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Diodes Incorporated MOSFET 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,415재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2,363재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,370재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 548재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 15,000구매 가능한 공장 재고품
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 10,000구매 가능한 공장 재고품
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel