Alliance Memory 저전력 DDR2 SDRAM
Alliance Memory 저전력 DDR2 SDRAM은 내부적으로 8뱅크 메모리 장치로 구성된 고속 CMOS 및 다이내믹 액세스 메모리입니다. 이 DDR2 SDRAM은 4비트 프리페치 DDR 아키텍처, 프로그래밍 가능 읽기 및 쓰기 레이턴시, 자동 TCSR(Temperature Compensated Self Refresh) 및 클록 정지 기능이 특징입니다. DDR2 SDRAM은 명령/어드레스(CA) 버스에 이중 데이터 전송 속도 아키텍처를 사용하여 시스템의 입력 핀 수를 줄입니다. 이 CA 버스는 어드레스, 명령 및 뱅크 정보를 전송하는데 사용됩니다. 이 DDR2 SDRAM은 DQ(양방향/차동 데이터 버스) 핀의 이중 데이터 전송 속도 아키텍처를 사용하여 고속 동작을 달성할 수 있습니다.
특징
- 클록 주파수 범위: 최대 400MHz
- 4비트 프리페치 DDR 아키텍처
- 저전력 전원 공급
- 자동 TCSR
- PASR(Partial Array Self Refresh) 절전 모드
- DPD(Deep Power Down) 모드
- DS(Driver Strength) 제어
- 동시 작동을 위한 8개의 내부 뱅크
- 다중화, 이중 데이터 전송 속도 및 명령/어드레스 입력
- 데이터 바이트당 양방향/차동 데이터 스트로브
- 데이터 스트로브의 상승 및 하강 에지에서 데이터를 쓰는 DM 마스크
- 프로그래밍 가능 읽기 및 쓰기 레이턴시(RL/WL)
- 4, 8 또는 16개의 프로그래밍 가능 버스트 길이
- 자동 및 자체 새로고침
- 모든 뱅크 일괄 자동 새로고침 및 뱅크별 자동 새로고침 지원
- 클록 정지 기능
- 작동 온도 범위: -40~85°C
DDR2 SDRAM 블록 선도
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 메모리 크기 |
|---|---|---|
| AS4C32M32MD2A-25BIN |  |
1 Gbit |
| AS4C64M16MD2A-25BINTR | |
1 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-25BIN | |
4 Gbit |
| AS4C64M16MD2A-25BIN | |
1 Gbit |
| AS4C64M32MD2A-25BIN | |
2 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-18BIN | |
4 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-18BINTR | |
4 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-25BINTR | |
4 Gbit |
| AS4C32M32MD2A-25BINTR | |
1 Gbit |
| AS4C128M16MD2A-25BINTR | |
2 Gbit |
게시일: 2018-06-28
| 갱신일: 2022-11-07