저전력 DDR2 SDRAM

Alliance Memory 저전력 DDR2 SDRAM은 내부적으로 8뱅크 메모리 장치로 구성된 고속 CMOS 및 다이내믹 액세스 메모리입니다. 이 DDR2 SDRAM은 4비트 프리페치 DDR 아키텍처, 프로그래밍 가능 읽기 및 쓰기 레이턴시, 자동 TCSR(Temperature Compensated Self Refresh) 및 클록 정지 기능이 특징입니다. DDR2 SDRAM은 명령/어드레스(CA) 버스에 이중 데이터 전송 속도 아키텍처를 사용하여 시스템의 입력 핀 수를 줄입니다. 이 CA 버스는 어드레스, 명령 및 뱅크 정보를 전송하는데 사용됩니다. 이 DDR2 SDRAM은 DQ(양방향/차동 데이터 버스) 핀의 이중 데이터 전송 속도 아키텍처를 사용하여 고속 동작을 달성할 수 있습니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray 59재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C32M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 1,788재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Reel, Cut Tape
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray 136재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tray 35재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 64M X 32, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M32MD2A Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray
170예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz FBGA-134 128 M x 32 18 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-18 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz FBGA-134 128 M x 32 18 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-18 Reel
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M32MD2A-25 Reel
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C32M32MD2A-25 Reel
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Reel
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Tray
Alliance Memory AS4C64M32MD2A-25BINTR
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 2G, 64M X 32, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 32 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M32MD2A Reel