SRAM

 SRAM
SRAM: 마우저 일렉트로닉스에서 주요 제조업체의 제품을 구매할 수 있습니다. 마우저는Alliance Memory, Cypress, ISSI, Microchip 등 다양한 SRAM 제조업체들의 공인 유통기업입니다. 아래에서 다양한 제품 목록을 확인하세요.
결과: 11,452
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM 442재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 3.3V, 36pin SOJ, 12ns, Industrial Temp - Tube 2,202재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 31재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
9 Mbit 256 k x 36 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.6 V 2.4 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 101재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM 295재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
GSI Technology SRAM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
144 Mbit 8 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 1M x 36 36M 5재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 580 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M 70재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 113재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Microchip Technology SRAM 1024K, 1.8V SPI SERIAL SRAM, SQI 100재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Renesas Electronics SRAM 3V 64K X 16 SRAM 149재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 45재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 50재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
Renesas Electronics SRAM 16K X 8 DP SRAM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

128 kbit 16 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 260 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-64 Tray
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 131재고 상태
540예상 2026-10-19
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 54재고 상태
최소: 1
배수: 1
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M 139재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM 322재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 144Mb (4Mx36) QDR II QDR II + SRAM 104재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
144 Mbit 4 M x 36 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.52 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 36재고 상태
최소: 1
배수: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray