NVRAM

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NVRAM: 마우저 일렉트로닉스에서 주요 제조업체의 제품을 구매할 수 있습니다. 마우저는 Cypress, Everspin, Maxim Integrated, STMicroelectronics, Texas Instruments 등 다양한 NVRAM 제조업체들의 공인 유통기업입니다. 아래에서 다양한 제품 목록을 확인하세요.
결과: 249
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube
Infineon Technologies CG9023AT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,050
배수: 1,050

Tray
Infineon Technologies CG9023ATT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel
Infineon Technologies CY14V101LA-BA25XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 25ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V101LA Reel
Infineon Technologies CY14V101LA-BA45XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V101LA Reel
Infineon Technologies CY14V101NA-BA25XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 25ns 64K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V101NA Reel
Infineon Technologies CY14V101NA-BA45XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 45ns 64K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V101NA Reel
Infineon Technologies CY14V101QS-BK108XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-24 CY14V101 Reel
Infineon Technologies CY14V101QS-BK108XQT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-24 CY14V101 Reel
Infineon Technologies CY14V101QS-SF108XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SOIC-16 CY14V101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies CY14V101QS-SF108XQT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 CY14V101 Reel
Infineon Technologies CY14V104LA-BA25XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V104LA Reel
Infineon Technologies CY14V104LA-BA45XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V104LA Reel
Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V104NA Reel
Infineon Technologies CY14V104NA-BA45XIT
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 45ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V104NA Reel
Infineon Technologies CY14U256LA-BA35XIT
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 256 kbit CY14U256LA Reel
Infineon Technologies CY14V256LA-BA35XIT
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14V256LA Reel
Infineon Technologies CY14B064PA-SFXIT
Infineon Technologies NVRAM 64Kb 3V 40Mhz 8K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 CY14B064PA Reel
Infineon Technologies CY14B104LA-BA25XIT
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B104LA Reel
Infineon Technologies CY14B104LA-BA45XIT
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B104LA Reel
Infineon Technologies CY14B104LA-BA45XI
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies CY14B104LA-ZS20XIT
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B104LA Reel
Infineon Technologies CY14B116M-BZ45XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-165 CY14B11 Tray
Infineon Technologies CY14B116M-ZSP25XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 CY14B11 Reel
Infineon Technologies CY14B116M-BZ45XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

FBGA-165 CY14B11 Reel