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메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32QE8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩272,468.8
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
1.5 V
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메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4G32QE8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩268,649.9
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
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메모리 모듈
- A5D08RC6BVQKSBO
- ATP Electronics
-
50:
₩98,024
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5D08RC6BVQKSBO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5D08RC6BVQKSBV
- ATP Electronics
-
50:
₩112,285.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5D08RC6BVQKSBV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5D16RA8BVQKSBO
- ATP Electronics
-
50:
₩177,742.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5D16RA8BVQKSBO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5D16RA8BVQKSBV
- ATP Electronics
-
50:
₩197,316.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5D16RA8BVQKSBV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5D32RB8BVQKSBO
- ATP Electronics
-
50:
₩342,928.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5D32RB8BVQKSBO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5D32RB8BVQKSBV
- ATP Electronics
-
50:
₩372,282.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5D32RB8BVQKSBV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5G08RC6BVQKSBO
- ATP Electronics
-
50:
₩98,024
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5G08RC6BVQKSBO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5G08RC6BVQKSBV
- ATP Electronics
-
50:
₩112,285.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5G08RC6BVQKSBV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A5G16RA8BVQKSBO
- ATP Electronics
-
50:
₩177,742.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5G16RA8BVQKSBO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈
- A5G16RA8BVQKSBV
- ATP Electronics
-
50:
₩197,316.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5G16RA8BVQKSBV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈
- A5G32RB8BVQKSBO
- ATP Electronics
-
50:
₩342,928.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5G32RB8BVQKSBO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
메모리 모듈
- A5G32RB8BVQKSBV
- ATP Electronics
-
50:
₩372,282.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A5G32RB8BVQKSBV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
- AL12M7218BKF8M
- ATP Electronics
-
50:
₩115,765.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M7218BKF8M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
- AL12M7218BKH9M
- ATP Electronics
-
50:
₩115,765.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M7218BKH9M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
- AL12M7218BKK0M
- ATP Electronics
-
50:
₩115,765.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M7218BKK0M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLF8M
- ATP Electronics
-
1,000:
₩106,479.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLF8M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLF8S
- ATP Electronics
-
1,000:
₩75,617.7
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLF8S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLH9M
- ATP Electronics
-
1,000:
₩106,479.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLH9M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLH9S
- ATP Electronics
-
1,000:
₩75,617.7
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLH9S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLK0M
- ATP Electronics
-
1,000:
₩106,479.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLK0M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLK0S
- ATP Electronics
-
1,000:
₩75,617.7
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLK0S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72A8BLMAM
- ATP Electronics
-
1,000:
₩106,479.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72A8BLMAM
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1866 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
- AL12M72B8BKF8M
- ATP Electronics
-
1,000:
₩161,903
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AL12M72B8BKF8M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|