메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50

ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50

ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50

ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC SO-DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin