|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩66,159.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩67,891.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
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|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩66,159.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
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|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩67,891.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩66,159.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNWEME
- ATP Electronics
-
1:
₩81,837.6
-
리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
리드 타임 29 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩105,908.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩105,908.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩102,429.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩111,118.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩110,572.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩102,429.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
- A4G08QA8BNTDSO
- ATP Electronics
-
500:
₩77,672.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 500
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩111,118.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩105,908.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩102,429.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩109,948.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWEME
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWEMFV
- ATP Electronics
-
50:
₩102,382.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWEMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWESBV
- ATP Electronics
-
50:
₩95,487.6
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESBV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩107,062.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESE
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩92,445.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩92,445.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩92,445.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩167,684.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩167,684.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
대한민국
