|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP
- A4B32QJ4DVRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩403,494
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QJ4DVRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B64QA4BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩742,482
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B64QA4BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
64 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4B64QJ4DPPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩968,260.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B64QJ4DPPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4B64QJ4DPRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩968,260.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B64QJ4DPRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4B64QJ4DPTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩968,260.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B64QJ4DPTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩106,189.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩102,429.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩106,189.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩102,429.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩122,584.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩106,189.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩102,429.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩122,584.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩120,010.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩114,301.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNPBME
- ATP Electronics
-
1,000:
₩102,663.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNPBSE
- ATP Electronics
-
1,000:
₩92,882.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNRCME
- ATP Electronics
-
1,000:
₩102,663.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNRCSE
- ATP Electronics
-
1,000:
₩92,882.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNTDME
- ATP Electronics
-
1,000:
₩102,663.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
- A4C08QV8BNTDSE
- ATP Electronics
-
1,000:
₩92,882.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QV8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM ULP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 1,000
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩175,952.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩175,952.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩197,340
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩175,952.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|