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GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
- GAN190-650FBEZ
- Nexperia
-
1:
₩6,961.4
-
2,638재고 상태
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Mouser 부품 번호
771-GAN190-650FBEZ
|
Nexperia
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GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
|
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2,638재고 상태
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
₩9,512.1
-
1,730재고 상태
|
Mouser 부품 번호
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1,730재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
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|
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GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN080-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
₩11,654.1
-
2,087재고 상태
|
Mouser 부품 번호
771-GAN080-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
2,087재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
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GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
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GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
- QPD0020TR7
- Qorvo
-
1:
₩84,481.5
-
338재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-QPD0020TR7
|
Qorvo
|
GaN FET DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
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|
338재고 상태
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최소: 1
배수: 1
:
500
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GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP65H480G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
-
1:
₩3,072.1
-
3,744재고 상태
|
Mouser 부품 번호
227-TP65H480G4JSGBTR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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3,744재고 상태
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최소: 1
배수: 1
:
4,000
|
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RF 증폭기 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
- TGA2239
- Qorvo
-
10:
₩1,226,328.1
-
20재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-TGA2239
|
Qorvo
|
RF 증폭기 13-15.5GHz PAE >32% SSG 29.5dB GaN
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
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|
20재고 상태
|
|
최소: 10
배수: 10
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|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
제한된 구매 가능 제품
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
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GaN FET GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
₩722,370
-
265재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT
|
|
265재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
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GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
- TGF2977-SM
- Qorvo
-
1:
₩67,726.2
-
1,377재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-TGF2977-SM
|
Qorvo
|
GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
|
|
1,377재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
- CGH21240F
- MACOM
-
1:
₩1,661,094.5
-
67재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-CGH21240F
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,240W,PULSED,2.1GHz,830140F,GaN
|
|
67재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
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|
|
RF 증폭기 MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
- CMPA0530002S
- MACOM
-
1:
₩166,468.8
-
339재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-CMPA0530002S
|
MACOM
|
RF 증폭기 MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4
|
|
339재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET 650V 35MR LGAN TOLL
- NTBL035N65GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩22,349.9
-
2,400재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTBL035N65GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET 650V 35MR LGAN TOLL
|
|
2,400재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,200
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH60030D-GP4
- MACOM
-
10:
₩175,741.3
-
20재고 상태
-
80예상 2026-12-07
|
Mouser 부품 번호
941-CGH60030D
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
20재고 상태
80예상 2026-12-07
|
|
최소: 10
배수: 10
|
|
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|
|
GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
- QPD0060
- Qorvo
-
1:
₩195,272.8
-
130재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-QPD0060
|
Qorvo
|
GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
|
|
130재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
100
|
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|
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|
GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
- QPD1010
- Qorvo
-
1:
₩85,369.3
-
80재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-QPD1010
|
Qorvo
|
GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
|
|
80재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
- MGA-445940-02
- CML Micro
-
1:
₩343,097.9
-
31재고 상태
|
Mouser 부품 번호
938-MGA-445940-02
|
CML Micro
|
RF 증폭기 Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers
|
|
31재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
10
|
|
|
|
|
갈바닉 절연 게이트 드라이버 Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
- ADUM4221-1BRIZ
- Analog Devices
-
1:
₩13,683.3
-
4,233재고 상태
|
Mouser 부품 번호
584-ADUM4221-1BRIZ
|
Analog Devices
|
갈바닉 절연 게이트 드라이버 Iso 1/2 Bridge Drv w PWM input UVLO 7.5V
|
|
4,233재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H070G4LSG-TR
- Renesas Electronics
-
1:
₩11,992.3
-
2,585재고 상태
|
Mouser 부품 번호
227-TP65H070G4LSG-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
2,585재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
MACOM CGHV27030S
- CGHV27030S
- MACOM
-
1:
₩116,836.8
-
344재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV27030S
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
344재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
|
|
|
갈바닉 절연 게이트 드라이버 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
- UCC21222DR
- Texas Instruments
-
1:
₩4,904
-
4,972재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-UCC21222DR
|
Texas Instruments
|
갈바닉 절연 게이트 드라이버 3.0kVrms 4A/6A dual- channel isolated ga A 595-UCC21222D
|
|
4,972재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
- T2G6001528-Q3
- Qorvo
-
1:
₩288,998.7
-
123재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-T2G6001528-Q3
|
Qorvo
|
GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
|
|
123재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
RF 증폭기 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
- TGA2214
- Qorvo
-
10:
₩534,326.4
-
10재고 상태
|
Mouser 부품 번호
772-TGA2214
|
Qorvo
|
RF 증폭기 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
|
|
10재고 상태
|
|
최소: 10
배수: 10
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
- CGHV38375F
- MACOM
-
1:
₩2,070,171.2
-
20재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-CGHV38375F
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
|
|
20재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN4LTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩6,876.9
-
1,361재고 상태
|
Mouser 부품 번호
511-MASTERGAN4LTR
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
1,361재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|