|
|
RF MOSFET 트랜지스터 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
₩54,007.2
-
비재고 리드 타임 52 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
RF MOSFET 트랜지스터 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 300
배수: 300
:
300
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
|
Si
|
3.6 GHz
|
8 W
|
|
+ 200 C
|
14.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
₩306,524.4
-
비재고 리드 타임 52 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
RF MOSFET 트랜지스터 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 100
배수: 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
|
Si
|
1 MHz
|
250 W
|
|
+ 200 C
|
18 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9060C
- STMicroelectronics
-
50:
₩118,450.8
-
비재고 리드 타임 28 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
511-ST9060C
NRND
|
STMicroelectronics
|
RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
|
₩118,450.8
|
|
|
₩109,387.2
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243-3
|
|
Si
|
1.5 GHz
|
80 W
|
|
+ 200 C
|
17.3 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
₩177,808.8
-
비재고 리드 타임 28 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
RF MOSFET 트랜지스터 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 80
배수: 80
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
STAC244F
|
|
Si
|
250 MHz
|
1 kW
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24.6 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-1F
- CML Micro
-
10:
₩127,732.8
-
비재고 리드 타임 27 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
938-MWT-1F
NRND
|
CML Micro
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 10
배수: 10
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
12 GHz
|
26 dBm
|
|
+ 150 C
|
10 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-3F
- CML Micro
-
1:
₩99,668.4
-
비재고 리드 타임 27 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
938-MWT-3F
NRND
|
CML Micro
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
12 GHz
|
22 dBm
|
|
+ 150 C
|
12 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-7
- CML Micro
-
1,000:
₩51,542.4
-
비재고 리드 타임 27 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
938-MWT-7
NRND
|
CML Micro
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
26 GHz
|
21 dBm
|
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-7F
- CML Micro
-
10:
₩91,306.8
-
비재고 리드 타임 27 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
938-MWT-7F
NRND
|
CML Micro
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 10
배수: 10
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
26 GHz
|
21 dBm
|
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-9F
- CML Micro
-
1:
₩121,789.2
-
비재고 리드 타임 27 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
938-MWT-9F
NRND
|
CML Micro
|
RF MOSFET 트랜지스터 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
18 GHz
|
26.5 dBm
|
|
+ 150 C
|
11 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
- BFP 182W H6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,591.2
-
비재고 리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP182WH6327
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩1,591.2
|
|
|
₩1,093.6
|
|
|
₩692.6
|
|
|
₩429
|
|
|
₩316.7
|
|
|
₩224.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
- BFP 183W H6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩436.8
-
리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP183WH6327
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
|
|
리드 타임 26 주
|
|
|
₩436.8
|
|
|
₩268.3
|
|
|
₩212.2
|
|
|
₩201.2
|
|
|
₩191.9
|
|
|
₩173.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFP 193 E6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,606.8
-
리드 타임 39 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP193E6327
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
리드 타임 39 주
|
|
|
₩1,606.8
|
|
|
₩1,109.2
|
|
|
₩702
|
|
|
₩435.2
|
|
|
₩327.6
|
|
|
₩199.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-143-4
|
Bipolar
|
Si
|
8 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFP193E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩967.2
-
비재고 리드 타임 39 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP193E6327HTSA1
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
비재고 리드 타임 39 주
|
|
|
₩967.2
|
|
|
₩645.8
|
|
|
₩441.5
|
|
|
₩322.9
|
|
|
₩268.3
|
|
|
₩184.1
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-143-4
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
- BFP 405 H6740
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,622.4
-
비재고 리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP405H6740
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩1,622.4
|
|
|
₩1,159.1
|
|
|
₩722.3
|
|
|
₩497.6
|
|
|
₩418.1
|
|
|
₩313.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT343-4
|
Bipolar
|
Si
|
25 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
- BFP405H6740XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩639.6
-
비재고 리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP405H6740XTSA1
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩639.6
|
|
|
₩394.7
|
|
|
₩316.7
|
|
|
₩301.1
|
|
|
₩290.2
|
|
|
₩290.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-343-4
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTORS
- BFP 640ESD H6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,653.6
-
리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP640ESDH6327XT
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTORS
|
|
리드 타임 26 주
|
|
|
₩1,653.6
|
|
|
₩1,029.6
|
|
|
₩677
|
|
|
₩532
|
|
|
₩466.4
|
|
|
₩368.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-343
|
Bipolar
|
SiGe
|
45 GHz
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
- BFP 650F H6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,918.8
-
비재고 리드 타임 18 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP650FH6327
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
|
₩1,918.8
|
|
|
₩1,179.4
|
|
|
₩775.3
|
|
|
₩610
|
|
|
₩461.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩544.4
|
|
|
₩421.2
|
|
|
₩404
|
|
|
₩393.1
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar
|
SiGe
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
- BFP650FH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩904.8
-
리드 타임 18 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP650FH6327XTSA
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR
|
|
리드 타임 18 주
|
|
|
₩904.8
|
|
|
₩569.4
|
|
|
₩460.2
|
|
|
₩439.9
|
|
|
₩399.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩422.8
|
|
|
₩391.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
TSFP-4
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTORS
- BFP 740ESD H6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,185.6
-
리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFP740ESDH6327XT
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTORS
|
|
리드 타임 26 주
|
|
|
₩1,185.6
|
|
|
₩728.5
|
|
|
₩522.6
|
|
|
₩450.8
|
|
|
₩411.8
|
|
|
₩355.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT343-3
|
Bipolar
|
SiGe
|
45 GHz
|
|
|
+ 150 C
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFR 181 E6327
- Infineon Technologies
-
1:
₩1,778.4
-
비재고 리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFR181E6327
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩1,778.4
|
|
|
₩1,230.8
|
|
|
₩778.4
|
|
|
₩482
|
|
|
₩305.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩355.7
|
|
|
₩271.4
|
|
|
₩193.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23
|
Bipolar
|
Si
|
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BFR193E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩592.8
-
리드 타임 26 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
726-BFR193E6327HTSA1
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
RF 양극성 트랜지스터 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
리드 타임 26 주
|
|
|
₩592.8
|
|
|
₩357.2
|
|
|
₩283.9
|
|
|
₩269.9
|
|
|
₩202.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
AEC-Q100
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300BN
- NXP Semiconductors
-
1:
₩136,422
-
리드 타임 15 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
771-MRF300BN
수명 종료
|
NXP Semiconductors
|
RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
리드 타임 15 주
|
|
|
₩136,422
|
|
|
₩113,661.6
|
|
|
₩107,016
|
|
|
₩101,072.4
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
Si
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20.4 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
₩12,012
-
리드 타임 15 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
841-AFT09MS007NT1
수명 종료
|
NXP Semiconductors
|
RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
리드 타임 15 주
|
|
|
₩12,012
|
|
|
₩9,204
|
|
|
₩7,940.4
|
|
|
₩7,378.8
|
|
|
₩5,834.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩6,895.2
|
|
|
₩6,489.6
|
|
|
₩6,130.8
|
|
|
₩5,709.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
|
Si
|
136 MHz to 941 MHz
|
7.3 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15.2 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
₩51,464.4
-
비재고 리드 타임 15 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
841-AFT09MS031GNR1
수명 종료
|
NXP Semiconductors
|
RF MOSFET 트랜지스터 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
비재고 리드 타임 15 주
|
|
|
₩51,464.4
|
|
|
₩41,355.6
|
|
|
₩38,594.4
|
|
|
₩37,580.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩33,961.2
|
|
|
₩35,958
|
|
|
₩34,834.8
|
|
|
₩33,961.2
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
|
Si
|
764 MHz to 941 MHz
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
15.7 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
- MRF1518NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
₩23,119.2
-
비재고 리드 타임 15 주
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
841-MRF1518NT1
수명 종료
|
NXP Semiconductors
|
RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 520 MHz, 8 W, 12.5 V
|
|
비재고 리드 타임 15 주
|
|
|
₩23,119.2
|
|
|
₩15,147.6
|
|
|
₩12,854.4
|
|
|
₩11,949.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩8,954.4
|
|
|
₩11,154
|
|
|
₩10,545.6
|
|
|
₩8,954.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5
|
|
Si
|
520 MHz
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
대한민국
