RF 트랜지스터

RF 트랜지스터의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 794
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 타입 기술 작동 주파수 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 이득 자격 포장
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Power Trans N-Channel 비재고 리드 타임 23 주
릴
₩30,974.2
최소: 600
배수: 600
: 600
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-2 LDMOS FET Si 500 MHz 25 W + 165 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
릴
₩31,974.7
최소: 600
배수: 600
: 600
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 LDMOS FET Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
릴
₩32,115.7
최소: 600
배수: 600
: 600
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 LDMOS FET Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
₩50,900.3
최소: 400
배수: 400
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 LDMOS FET Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 비재고 리드 타임 23 주
₩61,779.3
최소: 400
배수: 400
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 LDMOS FET Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 비재고 리드 타임 23 주
₩66,711.5
최소: 400
배수: 400
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 LDMOS FET Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 비재고 리드 타임 23 주
릴
₩66,711.5
최소: 600
배수: 600
: 600
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 LDMOS FET Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. N-Ch Trans 비재고 리드 타임 23 주
₩29,663.7
최소: 400
배수: 400
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 LDMOS FET Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. N-Ch Trans 비재고 리드 타임 23 주
릴
₩32,186.1
최소: 600
배수: 600
: 600
RF MOSFETs SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 LDMOS FET Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩219,539.3
최소: 100
배수: 100
: 100
RF MOSFETs SMD/SMT LBB-5 LDMOS FET Si 860 MHz 200 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩170,752.8
최소: 120
배수: 120
: 120
RF MOSFETs SMD/SMT B2-3 LDMOS FET Si 1.47 GHz 180 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩48,786.5
최소: 300
배수: 300
: 300
RF MOSFETs SMD/SMT E2-3 LDMOS FET Si 2.7 GHz 15 W + 200 C 19 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩52,520.9
최소: 300
배수: 300
: 300
RF MOSFETs SMD/SMT E2-3 LDMOS FET Si 2.7 GHz 25 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩85,369.3
최소: 160
배수: 160
: 160
RF MOSFETs SMD/SMT A2-3 LDMOS FET Si 3.6 GHz 40 W + 200 C 14 dB Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩284,912.1
₩222,399.9
릴
₩222,399.9
최소: 1
배수: 1
: 100
RF MOSFETs Through Hole LBB-4 LDMOS FET Si 945 MHz 150 W + 200 C 16 dB Reel, Cut Tape
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 비재고 리드 타임 28 주
₩117,780.9
최소: 50
배수: 50
RF MOSFETs Si Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
₩127,673.5
₩103,731.2
₩102,420.7
최소: 1
배수: 1
RF MOSFETs SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 28 주
₩184,464.3
최소: 50
배수: 50
RF MOSFETs SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz 비재고 리드 타임 28 주
₩127,673.5
₩102,420.7
최소: 1
배수: 1
RF MOSFETs SMD/SMT M174 Si 250 MHz 150 W + 150 C 14.8 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz 비재고 리드 타임 28 주
₩232,870.3
₩178,292
최소: 1
배수: 1
RF MOSFETs SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 28 주
₩236,336.9
최소: 60
배수: 60
RF MOSFETs Screw Mount M246 LDMOS FET Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
₩85,651.2
₩76,153.2
최소: 50
배수: 50
RF MOSFETs SMD/SMT M243-3 LDMOS FET Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 4 Amp 비재고 리드 타임 28 주
₩89,385.6
₩84,171.5
최소: 50
배수: 50
RF MOSFETs SMD/SMT M250 LDMOS FET Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 5 Amp 비재고 리드 타임 28 주
₩121,120.7
₩100,081.4
₩97,164.3
최소: 1
배수: 1
RF MOSFETs SMD/SMT M250 LDMOS FET Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩210,083.5
최소: 120
배수: 120
: 120
RF MOSFETs SMD/SMT B4E-5 LDMOS FET Si 945 MHz 250 W + 200 C 13.4 dB Reel