이산 반도체의 유형
적용된 필터:
제조업체
= STMicroelectronics
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STMicroelectronics TVS221SC-1T2 단방향 단일 라인 TVS
09-15-2026
09-15-2026
ESD 및 소규모 순간 과도 전압으로부터 전원 라인 또는 기타 저속 I/O를 보호하도록 설계되었습니다.
STMicroelectronics STGI15C60S 3상 인버터 및 IGBT SLLIMM
08-19-2026
08-19-2026
이 장치는 하드 스위칭 회로도에서 최대 20kHz까지 작동하는 모터 드라이브에 이상적입니다.
STMicroelectronics STH4N150-2AG N-채널 전력 MOSFET
08-10-2026
08-10-2026
자동차 애플리케이션에 적합한 높은 전압 수준과 뛰어난 내구성을 보장하도록 설계되었습니다.
STMicroelectronics STL059N4S8AG 전력 MOSFET
03-31-2026
03-31-2026
Smart STripFET F8 기술로 설계된 40V N-채널 증가 모드 전력 MOSFET입니다.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
12-04-2025
12-04-2025
고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN 트랜지스터
11-07-2025
11-07-2025
GaN 기술을 기반으로 구축되었으며 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
STMicroelectronics SGT350R70GTK E-모드 PowerGaN 트랜지스터
10-28-2025
10-28-2025
까다로운 애플리케이션에서 효율적인 전력 변환을 위해 최적화된 E-모드 PowerGaN 트랜지스터.
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA 자동차 전력 모듈
09-26-2025
09-26-2025
하이브리드 자동차와 전기 자동차의 OBC를 위해 NTC가 통합된 3상 4선 PFC 토폴로지를 제공합니다.
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 자동차 전력 모듈
09-26-2025
09-26-2025
전기 자동차에서 OBC의 DC/DC 컨버터 스테이지를 위한 NTC가 포함된 6팩 토폴로지를 제공합니다.
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1 600 V IH2 직렬 IGBT
05-22-2025
05-22-2025
독자적인 첨단 트렌치 게이트 필드 스톱 구조를 구현하여 제작되었습니다.
STMicroelectronics STGSH50M120D 다이오드가 있는 ACEPACK SMIT IGBT
12-24-2024
12-24-2024
하프 브리지 토폴로지에서 두 개의 IGBT와 다이오드를 결합합니다.
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 양방향 단선 TVS 다이오드
10-14-2024
10-14-2024
이 장치는 ESD 과도 현상으로부터 데이터 라인 또는 기타 I/O 포트를 보호하도록 설계되었습니다.
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V 초고속 브리지 모듈
10-08-2024
10-08-2024
차량 또는 충전소에 통합된 충전기 애플리케이션에 사용하기에 적합합니다.
STMicroelectronics N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET
07-22-2024
07-22-2024
800V, 제너 보호, 100% Avalanche 테스트를 거쳤으며, 플라이백 컨버터와 LED 조명에 이상적입니다.
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG 자동차 등급 MS 시리즈 IGBT
07-03-2024
07-03-2024
1,200V, 40A, 저손실, 낮은 열 저항을 제공하고 TO-247 롱 리드 패키지로 제공됩니다.
STMicroelectronics STripFET F8 N 채널 전력 MOSFET
12-01-2023
12-01-2023
AEC-Q101 인증을 받았으며 30V~150V까지 포괄적인 패키지 솔루션을 제공합니다.
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ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG Wide SOA N-채널 전력 MOSFET
10-23-2026
10-23-2026
보조 고장을 억제하는 데 도움이 되는 확장된 안전 작동 영역을 특징으로 합니다.
Diodes Incorporated DMN2005K N-채널 E-모드 전계효과 트랜지스터
10-19-2026
10-19-2026
낮은 온-저항, 매우 낮은 게이트 임계 전압 및 빠른 스위칭 성능이 특징입니다.
Qorvo QPD1000A GaN 입력 매칭 트랜지스터
10-14-2026
10-14-2026
28V 전원 레일에서 30MHz-1,215MHz 주파수 범위로 작동하는 50Ω 입력 매칭 개별 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Qorvo QPD2562L GaN RF 전력 트랜지스터
10-06-2026
10-06-2026
2.5GHz~2.9GHz 및 2.9GHz~3.3GHz에서 작동하는 200W~300W 개별형 GaN-on-SiC HEMT입니다.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET 모듈
10-02-2026
10-02-2026
전기 상용 차량 견인 인버터용 1400V CoolSiC MOSFET 모듈
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 단방향 단일 라인 TVS
09-15-2026
09-15-2026
ESD 및 소규모 순간 과도 전압으로부터 전원 라인 또는 기타 저속 I/O를 보호하도록 설계되었습니다.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09-14-2026
09-14-2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
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