STMicroelectronics STripFET F8 N 채널 전력 MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8 N채널 전력 MOSFET은 AEC-Q101 인증을 받았으며 매우 높은 전력 밀도 솔루션에 대한 모든 요구 사항을 충족하는 30V~150V의 포괄적인 패키지 솔루션을 제공합니다. 이 저전압 MOSFET은 STPOWER 스트립펫 F8 기술을 특징으로 합니다. 스트립펫 F8 기술은 온 저항과 스위칭 손실을 줄이고 보디 다이오드 특성을 최적화하여 전력 변환, 모터 제어 및 전력 분배 회로에서 에너지를 절약하고 저잡음을 보장합니다. STMicroelectronics STripFET F8 N채널 전력 MOSFET은 자동차, 컴퓨터/주변장치, 데이터 센터, 통신, 태양광, 전원장치/컨버터, 배터리 충전기, 가정용/전문가용 가전제품, 게임, 드론 등의 애플리케이션에서 시스템 설계를 간소화하고 효율성을 높입니다.
특징
- AEC-Q101 인증(AG로 끝나는 부품)
- 향상된 효율성과 더욱 콤팩트한 설계로 전도 손실이 매우 낮음
- 보디 다이오드 부드러움과 낮은 게이트-드레인 전하가 우수한 스위칭 동작을 보장합니다.
- 보다 쉬운 병렬 연결을 위해 더욱 엄격한 게이트 임계 전압 확산
- 낮은 EMI 방출
- 습기 민감도 수준(MSL) 1
- 작동 온도 범위: -55 °C~++175 °C
- 100% 애벌랜치 테스트 통과
- 접촉 가능한 측면, PowerFLAT 5 mm x 6 mm 패키지
- 지속 가능한 기술
애플리케이션
- STL160N10F8
- 서버 및 통신 전원
- 산업용 배터리 관리장치(BMS)
- 전동 공구
- 드론
- STL170N4LF8 및 STL300N4LF8
- 산업용 공구, 모터 드라이브 및 장비
- 산업용 모터 제어
- 전원장치 및 컨버터
- STL175N4LF8AG, STL305N4LF8AG, STL165N4F8AG, STK615N4F8AG
- 자동차 모터 제어
- 차체 및 편의성
- 섀시 및 안전
- ICE용 전동 장치
- STL120N10F8, STL320N4LF8, STL325N4LF8AG, STL325N4LF8AG용 스위칭 에플리케이션
사양
- 40V 또는 100V 최대 드레인-소스 전압 옵션
- ±16V 또는 ±20V 최대 게이트-소스 전압 옵션
- 최대 드레인 전류 범위: 304~1,492A
- 총 전력 손실 범위: 111W ~ 188W
- 단일 펄스 애벌랜치
- 60 A 전류
- 140mJ~590mJ 에너지 범위
- 동적
- 2 600 pF ~ 7 657 pF 입력 정전용량 범위
- 680 pF ~ 1968pf 출력 정전용량 범위
- 온/오프 상태
- 1 µA ~ 100 µA 제로 게이트 전압 드레인 전류 범위
- 100nA 게이트 본체 누설 전류
- 최대 게이트 임계 전압 범위: 1.2~4V
- 드레인 및 소스의 온-상태 저항(RDSon)은 최대 0.75 mΩ ~ 4.6 mΩ입니다.
비디오
주요 MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N-채널 STripFET MOSFET
이 장치는 향상된 트렌치 게이트 구조를 특징으로 하는 ST의 STripFET F8 기술을 활용합니다.
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STripFET F8 기술을 활용하고 향상된 트렌치 게이트 구조가 특징입니다.
STMicroelectronics STL320N4LF8 N-채널 STripFET F8 전력 MOSFET
STripFET F8 트렌치 MOSFET 기술로 제조되었습니다.
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게시일: 2024-05-21
| 갱신일: 2026-07-09