SRAM

결과: 11,488
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M 비재고 리드 타임 5 주
₩169,216.7
₩148,515.6
₩143,442.5
₩139,398.1
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
비재고 리드 타임 4 주
₩700,217.4
₩615,552.7
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 72M 비재고 리드 타임 6 주
₩173,148.4
₩159,662.4
₩154,392
₩148,501.5
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
비재고 리드 타임 12 주
₩612,551.1
최소: 14
배수: 14
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M 비재고 리드 타임 5 주
₩193,102.7
₩193,060.4
₩192,806.7
최소: 14
배수: 14
72 Mbit 2 M x 36 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M 비재고 리드 타임 6 주
₩287,124.5
₩264,591.4
₩255,783.9
₩249,597.5
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 1 M x 72 8 ns 167 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 280 mA, 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 8M x 9 72M 비재고 리드 타임 4 주
₩214,198.4
₩197,513.5
₩191,003
₩186,169.4
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 8 M x 9 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 930 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M 비재고 리드 타임 4 주
₩214,198.4
₩197,513.5
₩191,003
₩186,169.4
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 930 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M 비재고 리드 타임 5 주
₩163,509.5
₩150,770.3
₩145,795.8
₩142,103.7
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 4 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 비재고 리드 타임 4 주
₩21,842.6
₩20,278.4
₩19,658.3
₩18,629.6
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M 비재고 리드 타임 6 주
₩39,809.9
₩36,878.8
₩35,709.1
₩32,834.4
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 비재고 리드 타임 9 주
₩18,911.5
₩18,333.7
₩17,896.8
최소: 72
배수: 72
9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 비재고 리드 타임 5 주
₩24,787.8
₩22,998.1
₩22,279.5
₩21,744
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M 비재고 리드 타임 6 주
₩24,787.8
₩22,998.1
₩22,279.5
₩21,744
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M Tape and Reel 비재고 리드 타임 5 주
₩22,152.6
₩20,574.3
₩19,940.2
₩19,461.1
최소: 1
배수: 1
Cut Tape
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 비재고 리드 타임 5 주
₩24,787.8
₩22,998.1
₩22,279.5
₩21,744
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
비재고 리드 타임 10 주
₩1,180,966
최소: 10
배수: 10
144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-260
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
릴
₩3,720.3
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300
1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
릴
₩3,720.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
₩2,945.2
₩2,846.6
₩2,747.9
최소: 1
배수: 1
512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 11 주
₩3,241.2
₩2,747.9
₩2,705.7
₩2,663.4
최소: 1
배수: 1
512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 11 주
₩2,578.8
₩2,508.4
₩2,494.3
최소: 1
배수: 1
512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 11 주
릴
₩2,578.8
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300
512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 11 주
릴
₩2,621.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 비재고 리드 타임 11 주
릴
₩1,902.4
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300
256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel