DRAM

결과: 2,566
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 리드 타임 52 주
₩20,884.3
₩19,982.5
₩19,616.1
₩19,080.6
₩15,163
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,105.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩17,276.8
₩16,064.9
₩15,557.6
₩15,191.2
릴
₩12,274.1
최소: 1
배수: 1
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,105.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC 비재고 리드 타임 52 주
₩19,066.5
최소: 190
배수: 190
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 1333MT/s 64MX16 DDR3 SDRAM with ECC 비재고 리드 타임 52 주
₩29,395.9
₩27,239.8
₩26,380.2
₩25,732
₩24,773.7
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩23,420.9
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 재고 없음
₩3,621.6
최소: 2,500
배수: 2,500
SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 재고 없음
₩4,114.9
최소: 2,500
배수: 2,500
SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩24,872.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,032.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile BGA-54 IS42RM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 2.5V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,708.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile BGA-90 IS42RM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,032.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,032.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,708.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,328.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile BGA-54 IS42VM16800H Reel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 4Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩9,061.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM Mobile BGA-90 IS42VM32400H Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩54,620.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩79,972.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩55,888.9
최소: 136
배수: 136
SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩54,620.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩81,733.6
최소: 136
배수: 136
SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩67,458.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩16,769.5
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩20,461.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SDRAM - DDR2 BGA-84 IS43DR16128C Reel