DRAM

결과: 2,720
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Winbond W958S8NBPA4I TR
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Reel
Winbond W958S8NMPA4I TR
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Reel
Winbond W959S6NBJX4I TR
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel
Winbond W959S8NMPA4I TR
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Reel
Winbond W979H6RBVA1I
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz 비재고 리드 타임 36 주
최소: 168
배수: 168

Tray
Winbond W979H6RBVA1I TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,500
배수: 3,500
: 3,500

Reel
Winbond W979H6RBVA2I
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 - 85C 비재고 리드 타임 36 주
최소: 168
배수: 168

Tray
Winbond W979H6RBVA2I TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 - 85C T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 3,500
배수: 3,500
: 3,500

Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 260
배수: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHA020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Tray
Infineon Technologies S27KS0643GABHA023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Tray
Infineon Technologies S27KS0643GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KL0642GABHM020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHM023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KL0643DPBHA020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

Tray
Infineon Technologies S27KL0643DPBHA023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KL0643DPBHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

Tray
Infineon Technologies S27KL0643DPBHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
Infineon Technologies S27KL0643GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

Tray
Infineon Technologies S27KS0642GABHM020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

Tray
Infineon Technologies S27KS0642GABHM023
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel