S27KS064x 및 S27KL064x HYPERRAM™ 2.0 메모리

Infineon Technologies S27KS064x 및 S27KL064x HYPERRAM™ 2.0 메모리는 확장 메모리가 필요한 고성능 임베디드 시스템을 위한 고속, 로우-핀-카운트 DRAM입니다. 이 장치는 병렬 및 직렬 인터페이스 메모리의 레거시 기능에 의존하는 HYPERBUS™ 및 Octal SPI 인터페이스를 제공합니다. 이 DRAM은 1.8 ~ 3V의 전압 범위에서 작동하고 최대 400MBps 처리량의 대역폭을 제공합니다. 이 덕분에 HYPERRAM™ 2.0은 보드 내장형 RAM이 제한된 컨트롤러에 이상적 인 확장 메모리입니다. HYPERRAM™ 2.0은 스크래치 패드 메모리로 사용 시 읽기 및 쓰기 작업을 통해 고해상도 그래픽을 빠르게 전달할 수 있습니다. 일반적으로 자동차 계기판, 산업용 HMI(휴먼 머신 인터페이스), 산업용 머신 비전 및 소비자용 전자기기를 위한 디스플레이 시스템에 사용됩니다.

결과: 10
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
1,522재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282DPBHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
2,069재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
3,371재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642DPBHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
715재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
44재고 상태
6,760주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
313주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
227주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642DPBHI030
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,380
배수: 3,380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray