Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
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656재고 상태
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TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,047재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
535재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
826재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
304재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
252재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,038재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
420재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
272재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
1,197재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
500재고 상태
405예상 2026-10-07
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,088재고 상태
1,485예상 2026-10-21
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
304재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
396재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
959재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,184재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,639재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
293재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
371재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
170재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
1,305재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
73재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
189재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
5재고 상태
216예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
데이터시트
890예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray