25CSM01 1Mbit SPI 직렬 EEPROM

Microchip Technology 25CSM01 1Mbit SPI 직렬 EEPROM은 SPI(직렬 주변 장치 인터페이스) 호환 모선 이용하여 1Mbit의 비휘발성 메모리 전달합니다. 이 장치는 131.072바이트 x 8로 구성되며, 바이트 또는 순차 읽기, 바이트 또는 페이지 쓰기, 256바이트 페이지 크기를 지원하여 임베디드 시스템에서 안정적인 메모리 저장을 가능하게 합니다. 25CSM01 EEPROM에는 공장에서 프로그래밍된 전 세계적으로 고유한 128비트 일련 번호가 있는 비휘발성 보안 레지스터와 추가 256바이트 사용자 프로그래밍 가능한 ID 페이지가 포함되어 있습니다. 25CSM01은 또한 내장 오류 수정 코드, 논리 저전압 차단 감지 JEDEC® SPI 제조업체 읽기, 연속 드레인 전류 지원 및 사용자 정의 파티션을 통한 향상된 소프트웨어 쓰기 보호 기능을 통합합니다.

결과: 16
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
인터페이스 타입
최대 클록 주파수
조직
패키지/케이스
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
장착 스타일
데이터 유지
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIJ T&R, 85C Industrial
데이터시트
2,100예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1
: 2,100

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIJ-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIC T&R, 85C Industrial
데이터시트
3,300예상 2026-09-28
최소: 1
배수: 1
: 3,300

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIC-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-DFN T&R, 125C Industrial
데이터시트
3,300예상 2027-01-08
최소: 1
배수: 1
: 3,300

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 DFN-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-MSOP T&R, 125C Industrial
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2,500예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1
: 2,500

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 MSOP-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIJ T&R, 125C Industrial
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2,100예상 2027-01-01
최소: 1
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: 2,100

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIJ-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIC T&R, 125C Industrial
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3,300예상 2026-09-24
최소: 1
배수: 1
: 3,300

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIC-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-DFN T&R, 85C Industrial
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3,300예상 2027-01-08
최소: 1
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: 3,300

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 DFN-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-MSOP T&R, 85C Industrial
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2,500예상 2027-01-04
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: 2,500

1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 MSOP-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-DFN Bulk, 125C Industrial
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240예상 2026-08-07
최소: 1
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 DFN-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-MSOP Bulk, 125C Industrial
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300예상 2026-08-10
최소: 1
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 MSOP-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIJ Bulk, 125C Industrial
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270예상 2026-08-07
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIJ-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIC Bulk, 125C Industrial
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300예상 2026-08-10
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIC-8 4 ms 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-DFN Bulk, 85C Industrial
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240예상 2026-08-07
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 DFN-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-MSOP Bulk, 85C Industrial
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300예상 2026-08-10
최소: 1
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 MSOP-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIJ Bulk, 85C Industrial
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270예상 2026-08-10
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIJ-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1 Mbit SPI SERIAL EEPROM w/ECC, 8-SOIC Bulk, 85C Industrial
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300예상 2026-08-07
최소: 1
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1 Mbit SPI 20 MHz 131072 x 8 SOIC-8 4 ms 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube