|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R014M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩46,238.4
-
1,273재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMW120R014M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
1,273재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
- C3M0021120J2-TR
- Wolfspeed
-
1:
₩30,794.4
-
63재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0021120J2-TR
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
|
|
63재고 상태
|
|
|
₩30,794.4
|
|
|
₩23,010
|
|
|
₩19,890
|
|
|
₩18,844.8
|
|
|
₩17,596.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
- C3M0040120J1
- Wolfspeed
-
1:
₩18,907.2
-
661재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0040120J1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
|
|
661재고 상태
|
|
|
₩18,907.2
|
|
|
₩11,388
|
|
|
₩11,372.4
|
|
|
₩11,310
|
|
|
보기
|
|
|
₩10,670.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
- C3M0045065J1
- Wolfspeed
-
1:
₩15,600
-
611재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0045065J1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
|
|
611재고 상태
|
|
|
₩15,600
|
|
|
₩8,845.2
|
|
|
₩8,829.6
|
|
|
₩8,782.8
|
|
|
₩8,205.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
- C3M0075120K-A
- Wolfspeed
-
1:
₩11,996.4
-
699재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0075120K-A
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
|
|
699재고 상태
|
|
|
₩11,996.4
|
|
|
₩8,283.6
|
|
|
₩7,254
|
|
|
₩7,020
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩28,423.2
-
653재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
653재고 상태
|
|
|
₩28,423.2
|
|
|
₩20,170.8
|
|
|
₩17,550
|
|
|
₩16,910.4
|
|
|
₩16,395.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
- IXSA65N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
₩18,766.8
-
815재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSA65N120L2-7TR
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
|
|
815재고 상태
|
|
|
₩18,766.8
|
|
|
₩13,275.6
|
|
|
₩11,060.4
|
|
|
₩10,062
|
|
|
₩9,219.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH65N120L2KHV
- IXYS
-
1:
₩19,172.4
-
537재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSH65N120L2KHV
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
537재고 상태
|
|
|
₩19,172.4
|
|
|
₩13,650
|
|
|
₩10,124.4
|
|
|
₩9,921.6
|
|
|
₩9,594
|
|
최소: 1
배수: 1
:
450
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24740-170 SL PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
₩61,698
-
27재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
610-CDMS24740-170SL
신제품
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
27재고 상태
|
|
|
₩61,698
|
|
|
₩50,481.6
|
|
|
₩44,600.4
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-MR
- Infineon Technologies
-
1:
₩9,001.2
-
2,537재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
499-GS-065-011-1-L
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,537재고 상태
|
|
|
₩9,001.2
|
|
|
₩5,616
|
|
|
₩3,853.2
|
|
|
₩3,853.2
|
|
|
₩3,494.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,369.6
|
|
|
₩3,276
|
|
|
₩3,151.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
- GS-065-011-1-L-TR
- Infineon Technologies
-
1:
₩9,063.6
-
2,083재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
499-GS-065-011-1-LTR
수명 종료
|
Infineon Technologies
|
GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS
|
|
2,083재고 상태
|
|
|
₩9,063.6
|
|
|
₩6,240
|
|
|
₩4,461.6
|
|
|
₩4,087.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,432
|
|
|
₩3,619.2
|
|
|
₩3,432
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-Si
|
SMD/SMT
|
PDFN-6
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
- C3M0040120J1-TR
- Wolfspeed
-
1:
₩18,922.8
-
644재고 상태
|
Mouser 부품 번호
941-C3M0040120J1TR
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
|
|
644재고 상태
|
|
|
₩18,922.8
|
|
|
₩13,166.4
|
|
|
₩11,310
|
|
|
₩10,576.8
|
|
|
₩10,576.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R12MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
₩102,336
-
1,674재고 상태
|
Mouser 부품 번호
905-G3R12MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
1,674재고 상태
|
|
|
₩102,336
|
|
|
₩90,121.2
|
|
|
₩83,241.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩12,792
-
861재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861재고 상태
|
|
|
₩12,792
|
|
|
₩8,486.4
|
|
|
₩6,708
|
|
|
₩6,552
|
|
|
₩6,162
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,646.8
-
1,019재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,019재고 상태
|
|
|
₩15,646.8
|
|
|
₩10,030.8
|
|
|
₩8,205.6
|
|
|
₩7,971.6
|
|
|
₩7,675.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
- IXSA110N65L2-7TR
- IXYS
-
1:
₩20,436
-
900재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSA110N65L2-7TR
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
|
|
900재고 상태
|
|
|
₩20,436
|
|
|
₩14,227.2
|
|
|
₩11,310
|
|
|
₩10,576.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
- IXSG110N65L2K
- IXYS
-
1:
₩20,436
-
2,090재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSG110N65L2K
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
|
|
2,090재고 상태
|
|
|
₩20,436
|
|
|
₩14,227.2
|
|
|
₩11,310
|
|
|
₩10,576.8
|
|
|
₩10,576.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH100N65L2KHV
- IXYS
-
1:
₩20,810.4
-
550재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSH100N65L2KHV
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
550재고 상태
|
|
|
₩20,810.4
|
|
|
₩14,508
|
|
|
₩10,982.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩11,497.2
-
753재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753재고 상태
|
|
|
₩11,497.2
|
|
|
₩7,347.6
|
|
|
₩5,647.2
|
|
|
₩5,366.4
|
|
|
₩5,023.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
- SCT4018KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩43,524
-
994재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
755-SCT4018KWATL
신제품
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
|
|
994재고 상태
|
|
|
₩43,524
|
|
|
₩31,668
|
|
|
₩30,232.8
|
|
|
₩30,217.2
|
|
|
₩28,626
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩22,339.2
-
1,798재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R026M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,798재고 상태
|
|
|
₩22,339.2
|
|
|
₩15,631.2
|
|
|
₩12,854.4
|
|
|
₩12,604.8
|
|
|
₩12,012
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩18,610.8
-
1,440재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R034M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,440재고 상태
|
|
|
₩18,610.8
|
|
|
₩12,698.4
|
|
|
₩10,857.6
|
|
|
₩9,812.4
|
|
|
₩9,422.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,757.6
-
335재고 상태
-
750예상 2026-10-15
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R053M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
335재고 상태
750예상 2026-10-15
|
|
|
₩14,757.6
|
|
|
₩9,718.8
|
|
|
₩7,488
|
|
|
₩6,988.8
|
|
|
₩6,988.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
N-Channel
|
|
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
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1:
₩12,948
-
856재고 상태
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신제품
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Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R078M2HXT
신제품
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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856재고 상태
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₩12,948
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₩8,798.4
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₩6,442.8
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₩6,286.8
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₩5,881.2
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최소: 1
배수: 1
:
750
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SiC MOSFETS
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SiC
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SMD/SMT
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PG-HDSOP-22-U03
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N-Channel
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SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
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1:
₩17,768.4
-
929재고 상태
-
1,800예상 2026-10-15
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신제품
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Mouser 부품 번호
726-IMLT65R033M2HXTM
신제품
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
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929재고 상태
1,800예상 2026-10-15
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₩17,768.4
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₩12,277.2
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₩9,547.2
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₩8,907.6
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₩8,907.6
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최소: 1
배수: 1
:
1,800
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SiC MOSFETS
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SiC
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SMD/SMT
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N-Channel
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대한민국
