D2 시리즈 N-채널 감손 모드 전력 MOSFET

IXYS D2 시리즈 100~1,700V N-채널 감손 모드 전력 MOSFET은 ‘상시 On' 모드에서 작동하는 감손 모드 장치로, 게이트 단자에서 제로 턴온 전압이 필요합니다. 이 시리즈는 계속 "on" 상태인 시스템(예: 응급 또는 도난 경보기)에서 제어 단순화와 전력 손실 감소를 위해 최대 1,700V의 차단 전압과 낮은 드레인-소스 저항을 제공합니다.

결과: 34
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A 3,588재고 상태
₩15,346.2
₩11,442.7
₩9,399.4
₩9,159.8
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET 795재고 상태
₩40,077.6
₩27,408.9
₩25,760.2
₩24,886.5
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 2 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A 3,471재고 상태
₩10,188.5
₩5,594.5
₩4,763.1
₩4,368.5
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 6A N-CH DEPL 679재고 상태
₩28,240.4
₩19,545.6
₩17,389.5
₩16,628.6
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET 784재고 상태
₩37,625.6
₩28,029
₩24,942.8
₩23,998.7
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA 1,703재고 상태
₩8,060.6
₩4,227.6
₩3,593.5
₩3,283.4
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A 454재고 상태
₩19,728.8
₩15,022.1
₩12,513.7
₩11,160.9
₩10,428.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A 1,240재고 상태
₩9,272.5
₩4,918.1
₩4,495.3
₩4,016.2
₩3,945.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 3A N-CH DEPL 298재고 상태
₩12,302.3
₩6,933.3
₩6,031.4
₩5,510
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA 2,750재고 상태
₩6,905.1
₩3,621.6
₩3,241.2
₩2,860.7
₩2,691.6
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A 687재고 상태
₩12,711
₩6,947.4
₩6,369.6
₩6,003.2
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A 500재고 상태
₩16,332.6
₩10,470.4
₩9,667.1
₩9,033
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube

IXYS MOSFET TO247 1KV 10A N-CH DEPL 275재고 상태
300예상 2026-12-07
₩32,510.2
₩22,462.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 200V 16A MOSFET 250재고 상태
₩35,004.5
₩23,604.1
₩22,462.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 16 A 80 mOhms 20 V 4.5 V 208 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-CH 500V 16A MOSFET 858재고 상태
₩28,973.2
₩17,544.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 300 mOhms 20 V 4 V 199 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube

IXYS MOSFET N-channel MOSFET 220재고 상태
300예상 2027-01-26
₩39,809.9
₩26,281.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA 1,411재고 상태
₩6,693.7
₩3,720.3
₩3,170.7
₩2,663.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 800 mA 21 Ohms 20 V 4 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A 1,313재고 상태
₩10,244.9
₩6,707.8
₩4,946.3
₩4,396.7
₩3,889.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A 525재고 상태
₩16,713.1
₩9,723.5
₩8,976.6
₩8,878
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFET 1700V 2A 202재고 상태
₩53,281.9
₩39,964.9
₩37,653.8
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA 3,906재고 상태
₩6,144.1
₩3,382.1
₩2,762
₩2,452
₩2,311.1
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A 1,262재고 상태
13,440주문 중
₩8,074.7
₩4,636.3
₩3,889.4
₩3,607.6
₩3,114.3
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube
IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA 556재고 상태
50예상 2027-03-01
₩6,637.3
₩3,396.2
₩3,086.1
₩2,917
₩2,536.6
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube
IXYS MOSFET TO263 1KV 1A N-CH DEPL 300재고 상태
₩11,344.1
₩6,144.1
₩5,622.7
₩4,833.6
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.6 A 10 Ohms 20 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 100 W Depletion Tube

IXYS MOSFET 6Amps 1000V 138재고 상태
₩17,953.2
₩11,837.3
₩10,681.7
₩10,583.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2.2 Ohms 20 V 2.5 V 95 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube