CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFET는 동급 최고 수준의 가격 대비 성능을 제공하고 사용이 간편해 다양한 애플리케이션에서 어려운 문제를 해결합니다. 700V 및 800V CoolMOS P7 전력 MOSFET는 어댑터 및 충전기, 조명, 오디오 SMPS, AUX, 산업용 전원 공급 장치를 비롯한 플라이백 기반 저전력 SMPS 애플리케이션용으로 개발되었습니다. 600V CoolMOS P7 전력 MOSFET은 저전력뿐 아니라 태양광 인버터, 서버, 원격 통신 및 EV 충전소 같은 고전력 SMPS 애플리케이션을 대상으로 합니다. 이 P7 MOSFET는 강성 및 연성 스위칭 토폴로지에 맞게 전체적으로 최적화되었습니다.

결과: 115
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 68,703재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 600 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 3,453재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 4,892재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 5,244재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 9,148재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 4,458재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 8,670재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4,860재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,659재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 220재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,451재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,266재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 2,475재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 2,042재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,431재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 4,712재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 61 A 45 mOhms 20 V 1.7 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 12,682재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4,000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 19,007재고 상태
23,760예상 2026-11-12
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,993재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,726재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 824재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,872재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 8,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 8,376재고 상태
500예상 2026-10-21
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,165재고 상태
1,000예상 2026-12-17
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel