UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET는 전도 손실을 줄이고 더 빠른 속도로 효율을 높여 전반적인 비용 효율성을 개선하는, 업계 최고의 성능 지수를 제공하는 고성능 시리즈입니다. 5.4mΩ ~60mΩ 옵션으로 제공되는 Gen 4 시리즈는 고성능 SiC JFET가 캐스코드 최적화된 Si-MOSFET과 함께 패키지되어 표준 게이트 드라이브 SiC 장치를 만듭니다. UJ4C/SC 750V FET의 표준 게이트 드라이브 특성 덕분에 “드롭-인 교체” 기능을 지원합니다. 설계자는 기존 Si IGBT, Si FET, SiC FET 또는 Si 초접합 소자를 Qorvo UJ4C/SC FET로 대체하여 게이트 드라이브 전압을 변경하지 않고 시스템 성능을 크게 향상할 수 있습니다.

결과: 29
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7 237재고 상태
컷 테이프
₩34,469
₩25,746.1
₩22,265.4
₩19,954.3
릴
₩19,954.3
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263 1,266재고 상태
컷 테이프
₩11,090.4
₩5,989.1
₩5,932.7
₩5,721.4
릴
₩5,721.4
₩5,002.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247 1,258재고 상태
₩21,828.5
₩13,006.9
₩11,076.3
₩10,188.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279재고 상태
컷 테이프
₩41,684.1
₩33,017.6
₩30,791
₩27,845.8
릴
₩27,845.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562재고 상태
₩18,573.3
₩10,315.3
₩9,864.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 648재고 상태
컷 테이프
₩19,771.1
₩11,315.9
₩10,709.9
릴
₩10,709.9
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL 1,719재고 상태
컷 테이프
₩71,925.6
₩58,059
₩53,140.9
릴
₩53,140.9
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL 714재고 상태
컷 테이프
₩47,743.7
₩34,877.7
₩33,299.4
₩33,017.6
릴
₩33,017.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL 2,497재고 상태
컷 테이프
₩32,355.2
₩20,983
₩19,799.3
₩18,742.4
릴
₩18,742.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL 2,815재고 상태
컷 테이프
₩22,194.9
₩13,147.8
₩13,133.7
₩12,443.2
릴
₩12,443.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL 2,570재고 상태
컷 테이프
₩19,644.2
₩11,217.2
₩10,611.3
릴
₩10,611.3
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL 3,269재고 상태
컷 테이프
₩16,219.9
₩9,075.2
₩8,737
₩8,257.9
릴
₩8,257.9
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL 1,266재고 상태
컷 테이프
₩27,056.6
₩19,263.8
₩16,966.8
₩15,839.4
릴
₩15,839.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 6,703재고 상태
₩21,899
₩12,513.7
₩11,640
₩11,569.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-4 384재고 상태
₩77,435.5
₩55,254.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 614재고 상태
₩19,686.5
₩11,301.8
₩11,203.1
₩10,273.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 252재고 상태
600예상 2026-12-18
₩17,389.5
₩9,582.6
₩9,047.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 1,779재고 상태
₩18,094.1
₩10,160.3
₩9,892.6
₩9,047.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263 306재고 상태
컷 테이프
₩21,433.9
₩12,556
₩11,879.6
릴
₩11,879.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247 187재고 상태
₩22,025.8
₩12,457.3
₩12,316.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247 289재고 상태
₩23,984.6
₩13,641.1
₩12,809.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 395재고 상태
₩17,192.2
₩9,469.8
₩8,920.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7 257재고 상태
컷 테이프
₩47,208.2
₩34,384.5
₩32,552.5
릴
₩32,552.5
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247-4 767재고 상태
₩27,902.2
₩20,842.1
₩18,023.7
₩17,065.4
₩16,149.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263 13재고 상태
컷 테이프
₩28,395.4
₩18,150.5
₩17,121.8
₩16,205.8
릴
₩16,205.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET