|
|
MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
- IXTT12N150HV
- IXYS
-
1:
₩110,026.8
-
261재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT12N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
|
|
261재고 상태
|
|
|
₩110,026.8
|
|
|
₩86,829.6
|
|
|
₩83,319.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
12 A
|
2.2 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1
- IXFH16N120P
- IXYS
-
1:
₩36,441.6
-
157재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFH16N120P
|
IXYS
|
MOSFET 1
|
|
157재고 상태
|
|
|
₩36,441.6
|
|
|
₩26,660.4
|
|
|
₩25,303.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
16 A
|
950 mOhms
|
30 V
|
3.5 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
660 W
|
Enhancement
|
HiPerFET
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- IXTT6N120
- IXYS
-
1:
₩27,050.4
-
274재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT6N120
|
IXYS
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
|
|
274재고 상태
|
|
|
₩27,050.4
|
|
|
₩15,459.6
|
|
|
₩15,412.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
6 A
|
2.6 Ohms
|
20 V
|
5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTJ4N150
- IXYS
-
1:
₩24,944.4
-
248재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTJ4N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
248재고 상태
|
|
|
₩24,944.4
|
|
|
₩14,133.6
|
|
|
₩13,884
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
2.5 A
|
6 Ohms
|
30 V
|
5 V
|
44.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
- IXTH3N120
- IXYS
-
1:
₩18,532.8
-
211재고 상태
-
90예상 2026-12-15
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH3N120
|
IXYS
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
|
|
211재고 상태
90예상 2026-12-15
|
|
|
₩18,532.8
|
|
|
₩11,934
|
|
|
₩10,998
|
|
|
₩9,578.4
|
|
|
₩9,297.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
20 V
|
4.5 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTH4N150
- IXYS
-
1:
₩20,124
-
175재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH4N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
175재고 상태
|
|
|
₩20,124
|
|
|
₩13,213.2
|
|
|
₩12,261.6
|
|
|
₩10,686
|
|
|
₩10,639.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
4 A
|
6 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
44.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.5 Amps 1000V
- IXTP05N100M
- IXYS
-
1:
₩9,375.6
-
300재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP05N100M
|
IXYS
|
MOSFET 0.5 Amps 1000V
|
|
300재고 상태
|
|
|
₩9,375.6
|
|
|
₩4,929.6
|
|
|
₩4,321.2
|
|
|
₩3,822
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
700 mA
|
15 Ohms
|
30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
- IXTP05N100
- IXYS
-
1:
₩7,269.6
-
549재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP05N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
|
|
549재고 상태
|
|
|
₩7,269.6
|
|
|
₩3,744
|
|
|
₩3,385.2
|
|
|
₩2,776.8
|
|
|
₩2,714.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTA05N100HV
- IXYS
-
1:
₩10,748.4
-
2,248재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA05N100HV
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
2,248재고 상태
|
|
|
₩10,748.4
|
|
|
₩5,725.2
|
|
|
₩5,709.6
|
|
|
₩5,163.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩4,648.8
|
|
|
₩4,586.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTA3N150HV
- IXYS
-
1:
₩24,835.2
-
223재고 상태
-
300예상 2027-01-25
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
223재고 상태
300예상 2027-01-25
|
|
|
₩24,835.2
|
|
|
₩14,461.2
|
|
|
₩13,416
|
|
|
₩12,994.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
7.3 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
38.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
- IXTP3N120
- IXYS
-
1:
₩16,770
-
651재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP3N120
|
IXYS
|
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
|
|
651재고 상태
|
|
|
₩16,770
|
|
|
₩10,374
|
|
|
₩9,578.4
|
|
|
₩8,689.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
- IXTT12N150
- IXYS
-
1:
₩32,994
-
310재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT12N150
|
IXYS
|
MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
|
|
310재고 상태
|
|
|
₩32,994
|
|
|
₩20,217.6
|
|
|
₩19,874.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
12 A
|
2 Ohms
|
30 V
|
4.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTA3N120HV
- IXYS
-
1:
₩17,518.8
-
14재고 상태
-
350예상 2027-02-09
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N120HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
14재고 상태
350예상 2027-02-09
|
|
|
₩17,518.8
|
|
|
₩10,015.2
|
|
|
₩9,235.2
|
|
|
₩8,408.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
- IXTA4N150HV
- IXYS
-
1:
₩25,287.6
-
83재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA4N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
|
|
83재고 상태
|
|
|
₩25,287.6
|
|
|
₩14,632.8
|
|
|
₩14,118
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
4 A
|
6 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
375 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTH3N150
- IXYS
-
1:
₩28,953.6
-
8재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH3N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
8재고 상태
|
|
|
₩28,953.6
|
|
|
₩16,567.2
|
|
|
₩15,600
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
7.3 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
38.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- IXTH6N120
- IXYS
-
1:
₩15,615.6
-
96재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH6N120
|
IXYS
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
|
|
96재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
6 A
|
2.4 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
- IXTY01N100
- IXYS
-
1:
₩6,489.6
-
300재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTY01N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
|
|
300재고 상태
|
|
|
₩6,489.6
|
|
|
₩3,385.2
|
|
|
₩3,042
|
|
|
₩2,605.2
|
|
|
₩2,589.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
100 mA
|
80 Ohms
|
20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
- IXTA3N120
- IXYS
-
1:
₩16,005.6
-
3,012주문 중
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N120
|
IXYS
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
|
|
3,012주문 중
주문 중:
1,112 예상 2026-09-30
1,900 예상 2027-03-02
|
|
|
₩16,005.6
|
|
|
₩9,703.2
|
|
|
₩8,938.8
|
|
|
₩8,689.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
- IXTX20N150
- IXYS
-
1:
₩54,662.4
-
595주문 중
|
Mouser 부품 번호
747-IXTX20N150
|
IXYS
|
MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
|
|
595주문 중
주문 중:
295 예상 2026-09-29
300 예상 2027-03-23
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
20 A
|
1 Ohms
|
30 V
|
4.5 V
|
215 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.25 kW
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
- IXTH12N150
- IXYS
-
1:
₩33,867.6
-
285예상 2027-03-23
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH12N150
|
IXYS
|
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
|
|
285예상 2027-03-23
|
|
|
₩33,867.6
|
|
|
₩22,900.8
|
|
|
₩19,796.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
12 A
|
2 Ohms
|
30 V
|
4.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
- IXTA05N100
- IXYS
-
300:
₩4,929.6
-
비재고 리드 타임 19 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA05N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
|
|
비재고 리드 타임 19 주
|
|
|
₩4,929.6
|
|
|
₩4,867.2
|
|
|
₩4,836
|
|
최소: 300
배수: 50
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
- IXTH6N150
- IXYS
-
1:
₩26,239.2
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH6N150
|
IXYS
|
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩26,239.2
|
|
|
₩17,362.8
|
|
|
₩13,884
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
6 A
|
3.5 Ohms
|
20 V
|
5 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
540 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTJ6N150
- IXYS
-
300:
₩18,470.4
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTJ6N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
|
₩18,470.4
|
|
|
₩18,049.2
|
|
|
₩17,612.4
|
|
최소: 300
배수: 30
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
3.85 Ohms
|
30 V
|
2.5 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
- IXTK20N150
- IXYS
-
1:
₩102,460.8
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTK20N150
|
IXYS
|
MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
|
₩102,460.8
|
|
|
₩89,013.6
|
|
|
₩78,842.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
|
1.5 kV
|
20 A
|
1 Ohms
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
- IXTP2N80
- IXYS
-
50:
₩4,290
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP2N80
|
IXYS
|
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
|
|
재고 없음
|
|
|
₩4,290
|
|
|
₩3,182.4
|
|
|
₩2,667.6
|
|
|
₩2,480.4
|
|
|
₩2,324.4
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
2 A
|
6.2 Ohms
|
20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
54 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|