4세대 E 시리즈 MOSFET

Vishay Semiconductors의 4세대 E 시리즈 MOSFET는 E 시리즈 기술이 적용된 FOM(figure-of-merit) MOSFET입니다. 4 세대 E 시리즈 MOSFET는 유효 정전용량이 낮고 스위칭 및 전도 손실이 적습니다. 이 MOSFET는 애벌린치 에너지 등급(UIS)입니다. 4세대 MOSFET는 TO-220AB, PowerPAK® SO-8L, PowerPAK® 8 x 8, DPAK(TO-252) 및 Thin-Lead TO-220 FULLPAK 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 서버 및 전기통신 전원 공급 장치, 조명 및 산업, SMPS(Switch Mode Power Supply) 및 PFC(Power Factor Correction)에 사용됩니다.

결과: 31
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
데이터시트
2,513예상 2026-09-10
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 N CHAN 700V 34A
데이터시트
2,115예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 2 Channel 700 V 34 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 173 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tray
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
데이터시트
3,000예상 2026-12-10
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power
데이터시트
N/A
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET