4세대 E 시리즈 MOSFET

Vishay Semiconductors의 4세대 E 시리즈 MOSFET는 E 시리즈 기술이 적용된 FOM(figure-of-merit) MOSFET입니다. 4 세대 E 시리즈 MOSFET는 유효 정전용량이 낮고 스위칭 및 전도 손실이 적습니다. 이 MOSFET는 애벌린치 에너지 등급(UIS)입니다. 4세대 MOSFET는 TO-220AB, PowerPAK® SO-8L, PowerPAK® 8 x 8, DPAK(TO-252) 및 Thin-Lead TO-220 FULLPAK 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 서버 및 전기통신 전원 공급 장치, 조명 및 산업, SMPS(Switch Mode Power Supply) 및 PFC(Power Factor Correction)에 사용됩니다.

결과: 31
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
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4,220재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 N CHAN 700V 47A
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3,439재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 700 V 47 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 266 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement TrenchFET Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
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1,102재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET
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2,477재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 - 8 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 208 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 40A N-CH MOSFET
데이터시트
제품 코멘트
904재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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843재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET PWRPK 600V 34A N-CH MOSFET
데이터시트
3,678재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 34 A 59 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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866재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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1,639재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 600V DPAK (TO-252) N-CHANNEL
데이터시트
2,111재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
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3,650재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-10 1 Channel 600 V 29 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 41 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
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356재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
데이터시트
1,913재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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929재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
데이터시트
892재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 4.3A N-CH MOSFET
데이터시트
1,539재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 100 V
데이터시트
2,899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 600V
데이터시트
1,536재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 650V
데이터시트
2,158재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 53 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
데이터시트
539재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 99 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 524 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
데이터시트
1,084재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
데이터시트
425재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
데이터시트
2,311재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.2 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
데이터시트
953재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
데이터시트
제품 코멘트
501재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement